- 1、本文档共6页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
可调电阻区I 器件的
上节课内容回顾 上节课内容回顾
ÿ全控型器件 P-MOSFET
通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断 ÿ是单极型晶体管 (导通时只有一种极性的载流
子参与导电)。
GTO ÿ导电机理与小功率MOS管相同,但结 上有较
ÿ晶闸管的一种派生器件。 大区别。
ÿ可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 ÿ采用多元集成结 (104 ~105 )
ÿ电压、电流容量较大,与普通晶闸管接近,在
兆瓦级以 的大功率场合有较多应用。
GTR
ÿ晶体管的一种派生器件
ÿ20世纪80年代,在中、小功率范围内取代晶闸
管,但目前又大多被IGBT和P-MOSFET取代。
5.3.2 P-MOSFET的静态特性和参数 5.3.3 等效电路 (动态特性和参数)
3个区域:
ÿ可调电阻区I
器件的电阻值是变化的。
ÿ饱和区II (恒流区) 共源电路
对应于双极晶体管的放大区。
ÿ雪崩区III 入电容
漏极pn结发生雪崩击穿。 C C C
i GS GD
输出特性
5.3.3 开关特性(动态特性和参数) 5.3.3 开关特性(动态特性和参数)
ÿMOS管存在输入电容Ci
ÿ加 栅极控制电压uc
时,C 有充电过程
i
ÿuGs 升到开启电压uT
时,才开始出现漏极电流
iD 开通延迟时间td(on)
ÿuGs继续 升,进入可变
测试电路 开关过程波形 电阻区的栅压uGSP (预夹
断电压) 升时间tr
ÿup 脉冲信号源;RS 信号源内阻
ÿRG 栅极电阻;RL 负载电阻
ÿRF 检测漏极电流 MOS管的开通时间:ton =td(on)+tr
1
5.3.3 P-MOSFET的开关特性 5.3.3 P-MOSFET的开关特性
ÿ控制电压u 下降时,C
c i ÿMOS管的开通、关断
放电,uGs下降。 时间与MOS管的开启电
ÿu 下降到u 时,i 才
Gs GSP D 压u 、充电电容C 等有
开始减小 关断延迟时
文档评论(0)