国立台南大学97学年度绿色能源科技研究所硕士班招生考试电子学.PDF

國 立臺南大學 97 學年度 綠色能源科技研究所碩士班 招生考試 電子學 試題卷 一、選擇題單選及複選( ) (50％) 1. 在室溫之下 ，以下何種情形下會使矽中的載子遷移率上升？ (1) 溫度與雜質摻雜濃度均上升時 (2) 溫度與外加電場均增加時 (3) 溫度增加 ，雜質濃度減少時 (4) 雜質摻雜濃度與外加電場均上升時 (5) 溫度 、摻雜濃度與外加電場全部減少時 2. 矽質半導體 ，樣品 A 摻雜濃度 ：硼 5 1016 / cm3 ，樣品 B 摻雜濃度 ：磷 5 1016 / cm3 ，樣品 C 摻雜濃度 ：硼 5 1016 / cm3 、磷 5 1016 / cm3 。在室溫之 下 ，有關各樣品矽的傳導率之描述 ，下列何者正確 ？ (1) A B C (2) B A C (3) C A B (4) C B A (5) A B C 3. 將所處的物理環境完全相同，皆為電中性且原本分離的 P型矽及 N型矽直接 緊密地接在一起 ，則 (1) 一開始會有電流由N型矽流向 P型矽 (2) 一開始流動的電流大部份是由雙方的少數載子移動所造成 (3) 平衡後P型矽內電洞的數目會較平衡前為多 (4) 以上皆非 I I I / I rms av rms av 4. 已知在半波整流電路中 ，電流的有效值為 ，平均值為 ，則 (1) 0.707 (2) 1 (3) 1.414 (4) 1.57 (5) 3.14 V 5. 齊納二極體(Zener Diode)崩潰電壓( Z的溫度係數) (1) 等於零 (2) 大於零 (3) 小於零 (4) 不一定 6. 對pn 接面二極體而言 ，若 n 與p的雜質濃度均增加 ，則下列何者不正確 (1) 崩潰電壓增加 (2) 空乏區寬度減少 (3) 空乏區電容增加 (4) 最大電場強度增加 (5) 以上皆非。 第 1頁 ，共 3 頁 7. 下列半導體元件何者係在順向偏壓工作 (1) Zener 二極體 (2) LED (3) 光檢測器 (4) 遂道二極體 (5) 太陽能電池 (6) 變壓器 。 I I CEO CBO 8. 若 代表 BJT電晶體 B開路時 ，CE間電流 ； 代表 BJT電晶體 E開路 I CES 時 ，CB間電流 ； 代表 BJT電晶體 BE短路時 ，CE間漏電流 ，則此三種 電流間之關係為 I I I I I I I I I (1) CES CEO CBO (2) CES CBO CEO (3)