太阳能电池用“掺镓”硅单晶的研发-物理通报.PDF

年第 期 物理通报 物理技术研究 2015 10 “ ” 太阳能电池用 掺镓 硅单晶的研发 黄旭光 (晶龙实业集团有限公司 河北 邢台 ) 055550 ( : ) 收稿日期 2015 04 02 : , , 摘 要 目前业内普遍采用掺硼硅单晶制作太阳能电池片 存在光致衰减现象 难以克服 本文介绍了作者及所 . , , 在单位采用新工艺拉制掺镓硅单晶应用于太阳能电池片的有关技术 此创新有效解决了光致衰减这一难题 是太阳 能电池行业今后的一个重要发展方向. : 关键词 掺镓 掺硼 转化效率 衰减率 分凝系数 、 半导体中掺杂用的三 五主族元素一般为替位 1 研发背景 , ( -12 ), 共价态 硼的原子半径为82 m 1 m 10 m 在 p p = , Cz法生长的硼掺杂硅单晶制作成太阳能电池 硅晶格中有足够的空间可以形成硼氧复合体 而镓 , , , , 片 当暴露在光照下 随着时间推移 电池片转化效 的原子半径为 126 m 其较大的原子半径阻碍了镓 p , , 率会发生光致衰减 这种现象最早是由Fischer和 和氧在硅晶格中的结合 这是掺镓硅单晶不会形成 , 在 年首先发现的 但是在生产领域 亚稳态复合体的基本原理 这就抑制了掺镓硅单晶 Pschunder 1973 . , 内 一直没有找到合适的解决办法. 的光致衰减. 这种光致衰减是由于掺硼硅单晶中的间隙态氧 (