1 053 nm 高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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1 053 nm 高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性

See discussions, stats, and author profiles for this publication at: /publication/282988499 Preparation and photoelectric characteristics of high speed superluminescent diode emitting at 1053 nm Article in JOU NAL OF INF A ED AND MILLIMETE WAVES · April 2015 DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.02.016 CITATIONS EADS 0 28 7 authors, including: Fang Liang Chongqing University 142 PUBLICATIONS 1,786 CITATIONS SEE P OFILE All content following this page was uploaded by Fang Liang on 13 January 2016. The user has requested enhancement of the downloaded file. 第34卷第2期红外与毫米波学报 Vol. 34,No.2 2015年4月 J. Infrared Millim. Waves April,2015 文章编号:1001-9014(2015)02-0218-06 DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2015.02.016 1053nm 高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性 1,2,3 4 3 3 3 3 1,2 * 段利华 ,摇张淑芳 ,摇周摇勇 ,摇张摇靖 ,摇郭摇洪 ,摇罗庆春 ,摇方摇亮 (1. 重庆大学机械传动国家重点实验室,重庆摇 400044; 2. 重庆大学应用物理系,重庆摇 401331; 3. 重庆光电技术研究所,重庆摇 400060; 4. 重庆电子工程职业学院软件学院,重庆摇 401331) 摘要:制备了一种新型的具有高调制带宽的1053nm超辐射发光二极管(SLD).利用光荧光(PL)测试分析了不同温度、不同生长速率对SLD芯片外延材料质量的影响,优化了InGaAs/ GaAs量子阱的生长温度与生长速率.分析了 SLD模块的光电特性随温度与注入电流的变化关系. 研究结果表明,SLD 输出波长随温度的漂移系数为 0.35nm/ 益,其输出波长随注入电流的漂移对温度并不敏感.在25益、100 mA 注入电流下SLD 的-3 dB调制带宽达到1.7GHz,尾纤输出功率2.5mW,相应的光谱半宽为24nm,光谱波纹为0.15dB. 关摇键摇词:超辐射发光二极管;1053nm;调制带宽中图分类号:TN248.4;TN365摇摇文献标识码:A