BCS4N10 型硅功率场效应晶体管对管.PDF

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BCS4N10 型硅功率场效应晶体管对管

BCS4N10 型硅功率场效应晶体管对管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD T =25 ℃ 14 W C I T =25 ℃ 4 A 极 D C 限 VGS ±20 V 值 Tjm +150 ℃ T -55 +155 ℃ stg BV V =0V,I =0.25mA 100 V DSS GS D R ( ) V =10V,I =3.8A 0.55 Ω DS on GS D 电 V ( ) V =V ,I =0.25mA 2.0 4.0 V 特 GS th DS GS D 性 gfs VDS=15V,IDS=3.8A(N)IDS=4.1A(P) 1.2 S I V =100V,V =0VT =25 ℃ 25 µA DSS DS GS C IGSS VGS=1V 100 nA 外 1. S 源极 引 2. G 栅极 线 3. D 漏极 说 4.G 栅极 明 TO-257F 5.S 源极 替代型号:

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