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MOS 管– MOSFET 功率场效应晶体管Symbol ID Rg tr tf PD Tj
深圳市浩海电子有限公司 器件参数符号含义表
MOS 管 – MOSFET 功率场效应晶体管
Symbol Parameter 中文含义
ID Continous drain current 漏极直流电流
VGS Gate-source voltage 栅-源电压
VDS Drain-source voltage 漏-源电压
EAS single pulse avalchane energy 单脉冲雪崩击穿能量
Rth(j-a) Thermal resistance from junction to ambient 结到环境的热阻
Rth(j-c) Thermal resistance from junction to case 结到管壳的热阻
V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 漏源击穿电压
V(GS)th Gate threshold voltage 栅源阈值电压
IGSS Gate-body leakage current 漏-源短路的栅极电流
IDSS Zero gate voltage drain curent 栅-源短路的漏极电流
RDS(on) Drain-source on-resistance 漏源通态电阻
gfs Forward transconductance 跨导
VSD Diode forward voltage 漏源间体内反并联二极管正向压降
Ciss Input capacitance 栅-源电容
Coss Output capacitance 漏-源电容
Crss Reverse transfer capacitance 反向传输电容
R Gate resistance 栅极电阻
g
td(on) Turn-on delay time 开通延迟时间
tr Rise time 上升时间
td(off) Turn-off delay time 关断延迟时间
tf Fall time 下降时间
IDM Pulsed drain current
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