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SVF12N65T/F 说明书 12A、650V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF12N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采 用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进 的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、 1 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 1.栅极 2.漏极 3.源极 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 子 特点 电 1 12 ∗ 12A，650V，R =0.68Ω@V =10V 2 DS(on) （典型值） GS 3 3 ∗ 低栅极电荷量 维 TO-220F-3L TO-220-3L ∗ 低反向传输电容 佳 0 ∗ 开关速度快 富 5 ∗ 提升了 dv/dt 能力 市 144 命名规则 圳 32 5 这是 PDFdo Add Watermark 试用版，注册后不会有此行 深755-8381552 0 -2 0755 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF12N65T TO-220-3L SVF12N65T 无铅 料管 SVF12N65F TO-220F-3L SVF12N65F 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2011.12.27 Http:// 共8页 第1页 SVF12N65T/F 说明书 极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参 数 名 称 符号 单位 SVF12N65T SVF12N65F 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30