不同类型GaAs上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工pdf.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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不同类型GaAs上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工pdf

物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) August 7 Acta Phys. -Chim. Sin., 2009, 25(8)：1671-167 1671 [Article] 不同类型GaAs 上应用约束刻蚀剂层技术进行电化学微加工汤儆* 王文华庄金亮崔晨 (厦门大学化学化工学院化学系, 福建厦门 361005) 摘要：应用约束刻蚀剂层技术(CELT)对GaAs 进行电化学微加工. 研究了刻蚀溶液体系中各组成的浓度比例、 - GaAs 类型、掺杂以及阳极腐蚀过程对GaAs 刻蚀加工过程的影响. 循环伏安实验表明, Br 可以通过电化学反应生成Br2 作为刻蚀剂, L-胱氨酸可作为有效的捕捉剂. CELT 中刻蚀剂层被紧紧束缚于模板表面, 模板和工件之间的距离小于刻蚀剂层的厚度时, 刻蚀剂可以对GaAs 进行加工. 利用表面具有微凸半球阵列的导电模板, 可以在不同类型GaAs 上加工得到微孔阵列. 实验结果表明: 在相同刻蚀条件下, GaAs 的加工分辨率与刻蚀体系中