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电迁移对NiSnNi.P焊点界面反应的影响
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Ni/Sn/Ni-P
Article · October 2012
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2 authors, including:
M.L. Huang
Dalian University of Technology
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A study on the anisotropy of Sn grain and electromigration in micron-size solder ACF joints for
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第41卷 第10期 稀有金属材料与工程 V01.41,No.10
2012笠 10月 RAREMETALMATERIAI,SANDENGINEERING October2012
电迁移对Ni/Sn/Ni.P焊点界面反应的影响
陈雷达,周少明,黄明亮
(大连理工大学,辽宁大连I16024)
响。结果表明电流方向对Ni.P层的消耗起着决定作用。当Ni—P层为阴极时,电迁移加速了Ni.P层的消耗,即随着电
迁移时间的延长,Ni.P层的消耗显著增加;电迁移100h后Ni.P层消耗了5.88 h后Ni—P层消耗了13.46
p.m,电迁移200
层状的Ni3Sn4化合物,其厚度随着电迁移时间的延长而缓慢增加,电迁移200h后Ni3sn4层的厚度达到1.81um。
关键词:电迁移;Ni.P;Ni;界面反应:金属间化合物
中图法分类号:TG456.7 文献标识码:A 文章编号:1002—185X(2012)10—1785.05
随着微电子技术的不断发展,电子产品逐渐向轻、 究主要集中以下三方面【7。9】:(1)电迁移对焊点失效模
薄、短、小的方向发展,电子封装中的焊点也变得越 式的影响;f2)电迁移对焊点界面金属间化合物生长
来越小。通过焊点的电流密度逐步增大,当焊点的电 行为的影响;(3)微量元素对焊点电迁移的影响。关
流密度超过104A/cm2时电迁移现象就会出现[1】,电迁于Ni.P层在电迁移过程中的消耗行为国内外的研究
移已成为影响焊点可靠性的重要因素。早在20世纪 还不多。因此,研究电迁移过程中Ni—P的消耗行为对
60年代,国外的研究机构就开始了对电迁移的研究【2】, 电子封装产业的发展具有重要的现实意义。
时至今日对电迁移效应的研究也越来越受到重视。所
谓的电迁移是指在较高的电流密度下,电子往阳极流 性接头研究电迁移对钎料/基板界面反应及Ni—P消耗
动,在流动的过程中与金属内的原子发生碰撞,将动 行为的影响。
量转移给原子,使原子往阳极移动,并堆积形成突起
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