牦犝 8胶深紫外光刻模拟.pdf

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２８ ９ 犞狅犾．２８ 犖狅．９ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００７ ９ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犛犲．２００７ 狆 犛犝８胶深紫外光刻模拟  冯 明 黄庆安 李伟华 周再发 朱 真 　 　 　 　 　 　 （东南大学 犕犈犕犛教育部重点实验室，南京　２１００９６） 摘要：综合了犛犝８胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应，考虑了折 射及吸收系数随时间的变化，建立了 化学放大胶的光刻模型 模拟结果显示，该模型比现有的模拟方法结果 犛犝８ ． 更精确，与实验结果符合较好，可以在实际应用中对 犛犝８光刻胶的二维模拟结果进行有效预测． 关键词：犛犝８胶；光刻模拟；显影轮廓 ： ； 犈犈犃犆犆 ２５５０犌 ２５７５ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖０１２ 犃 ０２５３４１７７２００７０９１４６５０６ 　　　 　　　 续的硬烘、去胶工艺根据需要选择）每个过程都是 ． １ 前言 必不可少的，每一步骤在整个过程中起到的作用是 　 不同的 一般基片预处理和涂胶不单独作为一个模 ． 采用 犛犝８胶的犝犞光刻技术是制造高深宽比 块考虑，可以将其简化为一个因子放入后面的模型 结构的重要微细加工技术 而 胶制造 中，其他的每一步骤则都有自己独立的模块 犕犈犕犛 ． 犛犝８ ． 的过程中需要对尺寸等特征进行严格的控制 然而 在这些模块中，最为重要的是曝光模块 在常见 ． ． 目前的制造研究方法通常是，通过大量的重复性的 的“阈值模型”中，直接利用光强分布的结果对最后 实验来得到对于某特定器件尺寸和结构的最佳工艺 形貌进行预测 而在 化学放大厚胶为实验对 ． 犛犝８ 条件，而对包括光刻在内的工艺过程的模拟则很