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生长条件对ga掺杂zno薄膜微观结构及光致发光性能的 - 物理学报
生长条件对Ga掺杂ZnO 薄膜微观结构及光致发光性能的影响
周小红 杨卿 邹军涛 梁淑华
EffectsofgrowthconditionsonthemicrostructuresandphotoluminescencepropertiesofGa-dopedZnO
films
ZhouXiao-Hong YangQing ZouJun-Tao LiangShu-Hua
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,087803(2015) DOI: 10.7498/aps.64.087803
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.087803
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I8
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物理 学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 8 (2015) 087803
生长条件对Ga掺杂ZnO薄膜微观结构及光致发光
性能的影响
周小红 杨卿 邹军涛 梁淑华
1)(西安理工大学材料科学与工程学院, 西安 710048)
2)(陕西省电工材料与熔渗技术重点实验室, 西安 710048)
( 2014 年9 月26 日收到; 2014 年11 月26 日收到修改稿)
利用热氧化法在不同参数条件下生长了Ga 掺杂范围较宽的ZnO 薄膜, 研究了ZnO 薄膜的表面微观结构
和光致发光性能. 研究表明: Ga 以Ga 存在并掺入ZnO 晶格取代Zn , Ga 的掺入改变了ZnO
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