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等 一种基于低温多晶硅 技术的柔性 位异步微处理器
总第 期 NobuoKaraki : TFT 8
62
文章编号: ( )
1006-6268200604-0030-05
一种基于低温多晶硅TFT技术
的柔性8位异步微处理器
NobuoKaraki,TakashiNanmoto,HiroakiEbihara,SatoshiInoue,TatsuyaShimoda
精工爱普生公司技术平台中心,日本长野
( )
摘 要:介绍基于低温多晶硅 技术和采用激光退火表面刻蚀技术的柔性 位异步微处理
TFT 8
器,并且给出了异步电路描述语言 。 个晶体管的微处理器在 , 的条件
Verilog+ 32,000 500kHz5V
下消耗电流 180mA,功耗是同步微处理器的30%。
关键词:低温多晶硅;激光退火表面刻蚀;异步微处理器
中图分类号: 文献标识码:
TN141.9 B
AFlexible8-bitAsynchronousMicroprocessorBasedonLow-
TemperaturePoly-Silicon(LTPS)TFTTechnology
NobuoKaraki,TakashiNanmoto,HiroakiEbihara,SatoshiInoue,TatsuyaShimoda
(TechnologyPlatformResearchCenter,SeikoEpsonCorp.,Nagano-ken,Japan)
Abstract:A flexible8-bitasynchronousmicroprocessorbasedon low-temperature
poly-silicon (LTPS)TFTtechnology,surfacefreetechnologybylaserannealingandablation
(SUFTLA)andasynchronouscircuitdescription languageVerilog+ ispresented.The
32k-transistormicroprocessorconsumes180mArunningat500KHz,5V.Thepowerlevelis
30%ofthesynchronouscounterpart.
;
Keywords:low-temperaturepoly-silicon(LTPS)surfacefreetechnologybylaserannealing
andablation, ;
(SUFTLA)asynchronousmicroprocessor
它在特性上偏差太大,如图 所示。这种偏差主
1 介绍 1
要由晶粒尺寸和氧化硅厚度所致。到目前为止,
[2] 这种偏差被认为超 出了同步 电路设计所及范
以低温多晶硅(LTPS)TFT技术 和采用激光
退火表面刻蚀(SUFTLA)为特征的柔性微电子技 围,特别是针对由公用时钟驱动的诸如微处理
[
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