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60Co射线低能散射对CMOS器件电离辐射效应的影响
第 3 1 卷第 3 期 微 电 子 学 V o l3 1, № 3
200 1 年 6 月 M icroelectron ics J un 200 1
( )
文章编号: 200 1 030 16503
60
射线低能散射对 器件
Co CM O S
电离辐射效应的影响
吴国荣, 周 辉, 郭红霞, 林东升, 龚建成, 关 颖, 韩福斌
(西北核技术研究所, 陕西 西安 7 10024)
60
摘 要: 在 射线辐射场中采用 屏蔽和非屏蔽的方法, 研究比较了低能散射对 器
Co Pb A l CM O S
件电离辐射效应的影响。在理论计算基础上, 设计了 屏蔽盒。实验结果表明, 低能散射占总电离
Pb A l
辐射吸收剂量的20% 左右, 采用 屏蔽盒可以消除低能散射的影响, 能更可靠地进行微电子器件
Pb A l
抗辐射加固水平的精确评估与对比; 低能散射对Kovar 封装的器件产生剂量增强效应, 剂量增强因子小
于2. 0。
关键词: 低能散射; 电离辐射效应; 辐射加固; CM O S 器件; 剂量增强效应
中图分类号: 483; 386 文献标识码:
O TN A
60
In f luen ce of Co Source L ower En ergy D if f us in g on Ion iz in g
Rad ia t ion Ef f ects of CM O S D ev ice s
, , , ,
W U Guo ron g ZHOU H u i GU O H on g x ia L IN D on g sh en g
, ,
GON G J ian ch en g GU AN Y in g HAN Fu b in
(
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