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CMOS器件总剂量辐射响应理论模拟
第 卷第 期 原 子 能 科 学 技 术 !
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何宝平 周荷琴 郭红霞 贺朝会 周 辉 罗尹虹 张凤祁
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中国科学技术大学!安徽 合肥 ’ 西北核技术研究所!陕西 西安 #
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摘要 利用线性响应理论模型模拟 和 器件受不同 射线剂量率辐射时的总
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剂量效应 研究结果表明 辐射响应与吸收剂量成线性关系时 在实验室选用任一特定剂量率进行总剂
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量辐射和辐照后室温退火! %
可以通过线性响应理论模拟其它剂量率辐射下的总剂量效应 理论模拟结
果与实际不同剂量率辐射实验结果符合得很好%
关键词 辐射响应 退火 剂量率
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中图分类号! 文献标识码! 文章编号! #
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