Co2O3在ZnO压敏陶瓷中的改性作用.pdf

维普资讯 2005年第 1期 (总第 203期) 电 瓷 避 雷 器 INSULATORSANDSURGE ARRESTERS 2005Numberl(Ser．No203) 文章编号：1003—8337(2005101—0032—03 Co2O3在ZnO压敏陶瓷中的改性作用 韩 伟，王建文 ，孟 梅 f西安西无二电子信息集团有限公司，陕西 西安 710015) 摘 要 ：研究了金属氧化物Coo含量对ZnO}~：AYr-N／瓷中晶粒生长和电学性能的影响。分析 了Co，O含量xi-mnO半导体陶瓷各种性能的改善 ，以及所产生缺 陷类型。实验结果表明：随着 Co，O含量在0．6％～0．2％ (质量分数)范围内的减少，ZnO~ Nl瓷的平均晶粒大小降低 ，X-频耐 受力提 高．非线性系数增大，在一定程度上掩盖 了zno晶粒本征缺陷xJZnO陶瓷电导率的影响， 使半导体的电导率获得可控性。为获得产品优 良的重复性和稳定性，以及降低成本起到十分重要 的作用。 关键词：Co，o： 晶粒生长；电性能；工频耐受力 中图分类号：TM28 文献标识码 ：B StudyontheFunctionVariationofCo203inZnO Varistors HANW ei．WANG Jian—wen，MENG Mei fxianXiwuerElectronic＆InformationCo．，Ltd，Xiall710015，China) Abstract：TheefleetofamountofmetaloxideCo2O3onthecrystalgrowth electricalperformanceof ZnOvaristorsareevaluated．ItisananalysismadeonimprovementofCo2O3contenttovariousperfomr naces ofZnO semiconductor．aswellasthedefecttypewhichmayoccur．Thetestresultindicatesthatwith decreaseofthecontentofCo2O3withintherangeofO．6％ ～O．2％， theaveragecrystal sizeoftheZnO varistordecreases． thepowerfrequencyvoltagewithstnadability increases，and thenon—linearfactor enhances． which concealsthe negative effectofthe essential ofZnO crystal on the ZnO ceramic conductancetosomedergee，andthusgainthecontrolovertheconductancef0rthesemiconductor，It p1aysanimportantroleinremainingexcellentrepetitivenessandstabilityoftheproduct，nadreducinghte productioncost． Key words：Co203；crystal rgowth；electricalperfomr nace；powerfrequencywithstnadcapability 域的过电压保护。然而，技术却没有得到更进一步的 1引言 发展 现在片型压敏电阻发展的主要技术趋势[1]：一是 氧化锌压敏电阻器