手机射频placement的小结与心得.pdfVIP

射频transceiver 『尽量靠近BB 芯片，使得到BB 的IQ、SPI 等线尽量短』 这是没错 IQ 讯号固然是不需要阻抗控制 但I/Q 走线 不管Tx 还是Rx 多半是差分讯号 1 你如果I/Q 讯号太长 那么就可能会有I/Q Mismatch 的风险 那下场就是你的EVM 跟Phase error 变差 更不要说线一长 就有容易被Noise 干扰的风险 至于SPI 因为多半会有Data 跟CLK 讯号 走线一长 容易会有EMI 辐射干扰 2 『接收Port 位置应方便接收差分线出线并走表层。』 这是对的 不过有时碍于组件空间摆放 硬要走表层 很可能跟其他走线之间的距离太近 那么Desense issue 就出来了 所以这时 内层走线是必要的 先求不被干扰为优先原则 当然 内层阻抗不好控制 且相同100 奥姆情况下 内层走线多半线宽较窄 这意味着Loss 会变大 而且这样上山下海换层 Via 的寄生效应 也会使阻抗偏差 不过 现在手机 很多RF 功能都有额外的LNA 也就是eLNA (external LNA) 换言之 既然这段走线 是在eLNA 之后 那么原则上 阻抗偏差的Mismatch Loss 对于灵敏度 影响不是那么大 当然是先以不被干扰的内层走线为优先考虑 『如果有分集天线，尽量兼顾到主集和分集，但目前主流板型考虑分集天线较多， 因为分集天线环境通常较差，主集天线环境较好，且主集走线本来就很长。』 这也是对的 因为Diversity 本来就是为了LTE 灵敏度达目标必要手段 因此 主天线跟副天线 至少要一个好 否则两个都烂 那就失去Diversity 辅助灵敏度的功能了 3 『方便TCXO 的摆放，即尽量远离热源』 一般热源 不外乎是PA 跟PMIC 即便TCXO 有温度补偿 但温度补偿也不是万能 所以当然要尽可能远离这些热源 避免震荡频率受温度影响 除此之外 更要远离震动处 因为XTAL 会因为压电效应 其震荡频率受到外力影响而有所偏移