LED2009年国内数据.pdf

2009 年，我国芯片产值较 2008 年增长 25%，达到 23 亿元；LED 封装产值为 204 亿元；半 导体照明应用在摆脱金融危机的影响后，逆势增长 30% 以上，达到600 亿元。2009 年我国 LED 产业总规模共计 827 亿元！ 2009 年是我国半导体照明产业内外环境发生变化的一年。从产业环境来看，国内外影 响产业环境的大事件不断，半导体照明与当今世界的社会和经济发展联系愈加紧密，机遇和 挑战并存；从产业本身来看，国内外技术不断突破，新的应用迅速发展，相关扶持政策逐步 出台，产业竞争在技术、市场、产品等层面均出现了新的形态；从产业发展趋势来看，我国 半导体照明产业发展机遇明显大于挑战，整体产业环境和产业竞争进一步完善，产业发展前 景更加明朗。 2009 年也是我国半导体照明产业发展波动较大的一年。第一季度，受到 2008 年金融危 机导致出口下降的持续影响，产业发展缓慢，部分企业经营困难甚至倒闭。从第二季度开始， 随着我国“十城万盏”应用示范工程的推进和国内外市场形势的好转，半导体照明产业开始企 稳回升，成为最先摆脱金融危机影响的产业之一。下半年，我国半导体照明产业形势继续好 转，在节能减排和低碳经济概念的推动下，半导体照明开始成为热点产业。 2009 年，受到芯片需求快速增加的影响，我国外延芯片产能增加迅速。据统计，国内 从事 LED 芯片生产的企业超过 40 家，企业的 MOCVD 拥有量超过 150 台，其中已经安装 的生产型GaN MOCVD 超过 135 台，生产型四元系MOCVD 18 台左右，国内科研院所的研 究型设备也有所增加。各企业的外延芯片投资计划进一步加快，据初步统计，计划中的设备 在 100 台左右，其发展大大超出2009 年初预计。 2009 年，我国芯片产值增长 25%达到 23 亿元，与 2008 年的 26% 的增速基本持平。2009 年国产 GaN 芯片产能增加非常突出，较 2008 年增长 60%，达到22.4 亿只/ 月，而实际年产 量增加 40% ，达到 182 亿只，国产率也提升到了 46% 。国产芯片的性能得到较大提升，在 显示屏、信号灯、户外照明、中小尺寸背光等高端应用获得认可，大功率芯片的性能和产量 也得到很大提升。2009 年，随着金融危机的影响逐步减弱和企业经营状况的迅速好转，国 内芯片企业在2009 年获得了一个较好的经营环境，预计未来几年，国内芯片产能和企业经 营状况仍将处于一个快速的提升过程之中。 2009 年，我国 LED 封装产值达到 204 亿元，较 2008 年的 185 亿元增长 10%；产量则 由2008 年的 940 亿只增加 10%，达到 1056 亿只，其中高亮 LED 产值达到 186 亿元，占LED 总销售额的 90% 。同时从产品和企业结构来看国内也有较大改善，SMD 和大功率 LED 封装 增长较快。 2009 年，我国半导体照明应用在摆脱金融危机的影响后取得了较快的增长，整体增长 30% 以上，产值达到600 亿元。LED 全彩显示屏、太阳能 LED 、景观照明、消费类电子背光、 信号、指示等作为主要应用领域，增长较为平稳。在 LED-TV 加速应用的背景下，我国 LED 大尺寸背光应用取得了重要进展，主要电视品牌均推出了 LED 背光电视，并作为今后几年 的重点开发和推广产品。在我国“十城万盏” 应用示范工程的带动下，LED 路灯等道路照明、 LED 射灯等室内照明应用发展迅速。LCD 背光和照明在 2009 年的增长明显，正在逐步成为 我国半导体照明的主要应用领域。2009 年半导体照明应用构成如下表所示。 在投资方面，国内大企业、大资本开始大力介入半导体照明产业，产业投资力度明显加 大。据公开资料统计，2009 年全国各地 LED 项目总投资额（包括计划投资额）已超过 200 亿元，多家上市公司通过收购或募集资金投入进入半导体照明领域，也有多家半导体照明企 业积极准备上市以募集资金扩大规模。 在技术方面，国内量产的小功率芯片已经达到 120lm/W、功率型芯片 80 -100lm/W，与 国际产业化水平更加接近。我国自主知识产权的 Si 衬底芯片光效达到 70lm/W，并实现规模 化生产。我国大功率封装水平与国际一流水平基本同步，在小品种、多批量的生产能力处于 国际先进水平，如矿灯、景观灯等特种需求的LED 封装产品。 预计 2010 年，无论从应用推广、技术水平提升、资本运作还是企业经营方面都会出现 一些新的变化。