Mn掺杂ZnO材料的室温铁磁性研究进展.pdf

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Mn掺杂ZnO材料的室温铁磁性研究进展

维普资讯 Mn掺杂ZnO材料的室温铁磁性研究进展 胡永刚,胡作启,陈 飞 (华中科技大学 电子科学与技术系,湖北武汉 430074) 摘 要:具有室温铁磁性的稀磁半导体是 自旋电子学应用的基础。Mn掺杂 ZnO是制备室温铁磁性半导体的一种有 希望的材料。本文综述了Mn掺杂ZnO材料的室温铁磁性研究进展,并从理论和实验上说明了Mn在ZnO 中有较高的溶 解度;单相的Znl—xMnxO缺乏铁磁性,通过共掺或缺陷,能产生较多的空穴,更有利于产生室温铁磁性。 关键词:自旋电子学;稀磁半导体;ZnO;室温铁磁性 中图分类号:0482.523 文献标识码:A 文章编号2007)01.0019。04 ResearchAdvancesofRoom-temperatureFerromagnetic Mn-dopedZnO Composite ● HU Yong—gang,HU Zuoqi,CHEN Fei DepartmentofElectronicScienceandTechnology,HuazhongUniversity ofScienceandTechnology,Wuhan430074,China Abstract:Diluted magnetic semiconductorwith room。temperature ferromagnetism iSthebasementfor spintronicsapplications.Mn-doped ZnO isahopefulmaterialto fabricateroom-temperature ferromagnetic semi· conductors.Thispaperreviewstheadvancementofroom。temperatureferromagnetism in thematerialsofMn。doped Zn0.Ithasbeenilluminatedfrom htehteoriesandexperimentshtatMnhasarelativelyhighsolubilityinZnO.but ferromagnetism isabsentofrsinglephaseZnI—xMn~O,andalotofholescanbeproducedbyCO—dopingordefects, whichalefavourabletoresultingroom-temperatureferromagnetism. Keywords:spintronics; dilutedmagneticsemiconductor; ZnO; room.temperatureferromagnetism 1引言 集成密度更高等 】。 为了成功地将 电子 自旋结合到微 电子技术中 电子不仅有电荷,还有一个重要的属性,那就 去,需要解决电子 自旋极化态的控制、自旋极化载 是 自旋。随着对电子电荷和电子 自旋性质研究的深 流子电流的有效注入、传输、控制和检测等问题。 入,最近在电子学和信息技术领域取得了较大的进 在 自旋电子学中,自旋注入是实现半导体材料 自旋 展,其重要标志之一就是诞生了自旋电子学。传统 电子器件的首要问题。制

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