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mosfet与达林顿比较
Mosfet场效应晶体管和达林顿晶体管对比说明 * 达林顿晶体管 Mosfet场效应晶体管 漏极 栅极 源极 集电极(c) 基极(b) 发射极(e) 工作 原理 Mosfet的工作原理:当栅极偏压为零时,源极和漏极被P型区隔开,相当于两个背靠背的二极管,此时电流为零。当栅极施加一个足够大正向电压,则在氧化物半导体交界面就会产生电子反型层,反型层把N型的源极和N型的漏极连接起来,就会在源极和漏极之间产生电流。 达林顿管工作原理:达林顿管是两个三极管组成的复合管,前级共发射极的集电极回路接在后级共发射极回路的基极回路中,所以这个复合管的共发射极放大系数是组成它的两个三级管的共发射极放大系数的乘积 。 达林顿管 电压:100v集电极直流电流:2A 最大连续电流, Ic:5A 电压 :100V 电流, Ic 最大:5A 压降 Vce sat 最大:1.5V(IC=6A,IB=6mA) 电压VDss:100v 漏极直流电流:25A 电压:100V 压降:1.5v(ISD = 25 A, VGS = 0) Mosfet(Metal Oxide Semiconductor) 规格 1.Mosfet是一种高输入阻抗、电压控制的器件。而达林顿管则是一种低阻抗、电流控制的器件。在功率应用中采用Mosfet具有众多好处。 2.同等压降在1.5v,Mosfet所流过的最大电流高于达林顿,所以Mosfet的功率较大。 3. Mosfet耐高温,Mosfet没有二次击穿失效机理,它在 温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低。 4.Mosfet场效应晶体管比达林顿管体积小。 总之Mosfet用栅极来控制电压漏极电流,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于达林顿。而且Mosfet输入阻抗(100MΩ~1 000MΩ)高于达林顿管。 在调节器工作中,Mosfet主要用于控制激磁电流进而控制电压,当电压高于调节电压,Mosfet自动关闭,切断激磁电流。当电压低于调节电压,mosfet导通,激磁电流增大,电压升高。综上所述,应用到调节器芯片中Mosfet场效应晶体管的功能要比达林顿管强大。 应用对比 *
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