MOSFET驱动电路的研究及其保护.pdf

几种MOSFET 驱动电路的研究 摘要：介绍并分析研究了几种较简单实用的驱动电路,给出了电路图,部分仿真波形或实验波。 关键词：高频驱动电路 1 引言 开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点,应用已越来越普及。MOSFET 由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源 最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能指标。一个好的MOSFET 驱动电路的要求是： （1）开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET 栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿 的高频振荡; （2）开关管导通期间驱动电路能保证MOSFET 栅源极间电压保持稳定使可靠导通; （3）关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET 栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断; （4）关断期间驱动电路最好能提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通; （5）另外要求驱动电路结构简单可靠,损耗小,最好有隔离。 本文介绍并讨论分析一下作者在研制开关电源中使用的几种结构简单可行的MOSFET 管驱动电路。 2 几种MOSFET 驱动电路介绍及分析 2.1 不隔离的互补驱动电路 图1 （a）为常用的小功率驱动电路,简单可靠成本低。适用于不要求隔离的小功率开关设备。图 1(b)所示驱动电路开关速度很快,驱动能力强, 为防止俩个MOSFET 管直通,通常串接一个0.5～1Ω小电阻用于限流,该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路结构特简单。 功率MOSFET 属于电压型控制器件,只要栅极和源极之间施加的电压超过其阈值电压就会导通。由于MOSFET 存在结电容,关断时其漏源两端电压 的突然上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小,关断速度较快,但它不能提供负压,故其抗干扰性 较差。为了提高电路的抗干扰性,可在此种驱动电路的基础上增加一级由V1、V2、R 组成的电路,产生一个负压,电路原理图如图2(a)所示。 当V1 导通时,V2 关断,两个MOSFET 中的上管的栅、源极放电,下管的栅、源极充电,即上管关断、下管导通,则被驱动的功率管关断;反之V1 关 断时,V2 导通,上管导通,下管关断,使驱动的管子导通。因为上下两个管子的栅、源极通过不同的回路弃、放电,包含有V2 的回路由于V2 会不 断退出饱和直至关断,所以对于S1 而言导通比关断要慢,对于S2 而言导通比关断要快,所以两管发热程度也不完全一样,S1 比S2 发热要严重。 该驱动电路的缺点是需要双电源,且由于R 的取值不能过大,否则会使V1 深度饱和,影响关断速度,所以R 上会有一定的损耗。 还有一种与其相类似的电路如图2(b)所示,改进之处在于它只需要单电源。其产生的负压由5.2V 的稳压管提供。同时PNP 管换成NPN 管。在该 电路中的两个MOSFET 中,上管的发热情况要比下管较轻,其工作原理同上面分析的驱动电路,故不再赘述。 2.2 隔离的驱动电路 （1）正激式驱动电路 电路原理图如图3(a)所示,N3 为去磁绕组,S2 为所驱动的功率管。R2 为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因变压器漏感较小, 且从速度方面考虑,一般R2 较小,故在分析中忽略不计。 其工作波形分为两种情况,一种为去磁绕组导通的情况,见图4 （a）;一种为去磁绕组不导通的情况,见图4(b)。 等值电路图如图3(b)所示,脉冲变压器的副边并联—电阻R1,它做为正激式变换器的假负载,用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通,见 图5。同时它还可作为功率MOSFET 关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2 栅、 源极等效输入电容的大小、S1 的驱动信号的速度以及S1 所能提供的电流大小有关。由仿真及分析可 知,占空比D 越小、R1 越大、L 越大,磁化电流越小,U1 值越小,关断速度越慢。 该电路具有以下优点：①电路结构简单可靠,实现了隔离驱动。②只需单电源即可提供导通时正、关断时负压。③占空比固定时,通过合理的参 数设计,此驱动电路也具有较快的开关速度。该电路存在的缺点：一是由于隔离变压器副边需要一个假负载防震荡,故该电路损耗较大;二是当占 空比变化时关断速度变化加大。脉宽较窄时,由于是贮存的能量减少导致MOSFET 栅极的关断速度变慢。表 1 为不同占空比时关断时间toff （驱 动电压从10 伏下降到0 伏的时间）内变化情况。 表1 不同占空比时