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NFO复合磁电效应模拟

第 31卷 第 5期 计 算 物 理 Vo1.31.No.5 2014年 9月 CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONALPHYSICS Sep.,2014 文章编号:1001-246X(2014)05-0587-06 2-2型 PMNT/NFO复合磁 电效应模拟 杨焕银, 樊冬梅 , 郭红力 (长江师范学院凝聚态物理研究所,重庆 涪陵 408100) 摘 要:利用弹性力学模型,基于铁电相与铁磁相的本构方程,建立磁 电复合材料的本构方程,推导22·型非理想 耦合 的磁 电双层、三层复合薄膜 的纵 向、横 向磁 电(ME)电压系数.研究铁磁相材料铁酸镍 (NFO)和铁 电相材料铌 镁酸铅一钛酸铅 (PMNT)复合的磁 电效应,分析复合材料的磁 电电压系数与PMNT体积分数、界面耦合参数、两相体 积 比及复合总层数的关系.结果表明两相材料的性能、体积分数以及耦合系数 、复合层数都影响磁 电电压系数. 关键词 :磁 电效应 ;耦合 ;复合材料 ;本构方程 中图分类号 :0482.5 文献标志码 :A O 引言 磁电复合材料的磁电效应 (ME)是指在外加 电场下复合材料发生磁化 ,或者在外加磁场下发生极化的 现象 ¨].它是一种兼具 电磁伸缩性能和电致伸缩性能的特殊材料 ,是按照一定 的复合结构 (即通过加和效应 或者耦合乘积效应)得到的一种性能远高于单相磁 电材料或产生单相材料所没有的磁 电效应的新型材 料 ].根据复合结构的不同,磁 电复合薄膜分为 I.3型柱状磁 电复合薄膜 “,0-3型颗粒磁 电复合薄膜 以及 2-2型层状磁 电复合薄膜 .由于磁电复合材料是由铁电相和铁磁相材料构成 ,而铁电材料必须是绝缘 体 ,铁磁相材料一般是金属 ,电阻率较低 ,因此在复合的时候容易出现渗流 ,且两相在复合的时候存在晶格的 位错和畸变 ,因此铁电和铁磁相复合材料在物理性质 、结构特征 、电子特性等方面都会受到一定的限制,这说 明多铁性的形成是诸多元素竞争的结果.2.2型磁电复合薄膜由铁磁相膜层和铁电相膜层层叠构成.与前两 种结构相比,2-2型磁电复合薄膜的最大优点是 电阻率很高的铁电相膜层能够完全阻断磁性相膜层之间的 连通 ,使得材料整体的漏电流较小 ,有利于磁 电性能的提高磁 电效应为发展新一代高性能的磁电功能器件 提供 了可能,可以用来制作类型多样 的新型磁控或者电控亦或同时磁控.电控器件.除此之外 ,它还兼具磁致 伸缩性和压电性,所以具有较高的介 电常数和磁导率,可 以用这类材料来制成小型或微型的多功能电磁器 件.因此,磁电复合材料正逐渐成为磁电材料研究的热点 . 磁 电耦合效应的工作原理可以概括为 :外加磁场下磁致伸缩相的变形引发 内应力,此应力通过两相间界 面传递到铁 电相 ,由于铁电相的受力形变会产生极化 ,这一极化会在界面上产生表面电荷.磁 电复合薄膜制 备方面 ,不 同研究者做 了大量的工作 .2008年 Zhang12]用 PLD方法在 SrTiO 单 晶基 片上沉积 厂Pb (zr0.,:Ti¨。)O(PZT)/SrRuO/CoFe:O 复合薄膜.它以PZT薄膜作为缓冲层,缓解 了表面张力,增强了层 间界面处的耦合 ,提高了复合薄膜 的磁 电耦合性能.同年 ,Zhong¨等采用溶胶 一凝胶技术在 Pt/Ti/SiO:/Si (100)基片上沉积了Bi,.,Nd Ti,0,(BNT)和 CoFeO (CFO)磁电复合薄膜 ,根据沉积顺序的不同,分别得 到 BNT/CFO/基片 (BC)和 CFO/BNT/基片 (CB)薄膜.研究发现 ,BC薄膜表面平滑致密.而 CB复合薄膜 的 漏 电流密度 比BC复合薄膜的低 ,绝缘性较好.同时磁电测试发现,BC复合薄膜和 CB复合薄膜 的磁电电压 系数最大分别为91mV·cm~ ·Oe 和84mV·cm一 ·Oe一.不同的沉积方式造成B与 C界面的耦合程度不 同,造成了致密度较好的CB复合薄膜的磁 电性能高于 BC复合薄膜.我们实验制备 PMNT与 CFO多层磁 电 收稿 日期 :2013—09—15;修 回日期 :2014—02—28 基金

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