n电致发光薄膜的.pdf

第 20 卷　第 5 期　　　　　　　　　　　 　稀　有　金　属　　 　　　　　　　　　　1996 年 9 月 法 ∶ 电致发光薄膜的 M O CVD ZnS M n 结晶与光学特性 赵丽娟　钟国柱　杨宝钧 ( 中国科学院长春物理研究所　130021) 用 射线衍射仪研究了 法制备的 ∶ 薄膜的结晶特性, 用二次离子质谱仪分 X M OCVD ZnS M n 析了锰在立方晶相硫化锌中的分布, 解释了薄膜两侧原子堆积层的成因, 测量了 ∶ 电致发 ZnS M n 光薄膜的光学特性。 　　关键词: 　 　 ∶ 　结晶性　锰分布　 — 曲线 M OCVD ZnS M n EL T F B V 一、引　　言 缓。 自从 Inoguch i[ 1 ] 发明了双绝缘层结构 二、实　　验 的电致发光薄膜 (EL T F ) 器件以来, 对电 致发光的物理过程及工艺方法的研究一直 ∶ 电致发光薄膜用 ZnS M n M OCVD 很活跃。 方法制备的电致发光薄 法制备, 二甲基锌 ( ) 和稀释至 10% M OCVD DM Z 膜以其结晶性好和发光中心掺杂均匀而成 的硫化氢分别作锌源和硫源, 三羰甲基环 为近年来的热门课题[ 2～ 4 ] 。 技术 戍二烯锰 ( ) 作锰源。在镀有 的 M OCVD TCM ITO 可以独立提供组分所需的原料, 化合物的 玻璃衬底上生长 ∶ 薄膜, 生长条 ZnS M n 化学计量比稳定且易调制, 生长温度较 件 如 高, 能优化薄膜小范围内的晶格排列, 制 表 1 。用 转靶衍射仪测量 D M A X RA 备高结晶度的薄膜。对于 ∶ 薄膜, ZnS M n 2+ 表 1　 法制备 ∶ 薄膜 结晶性好可使发光中心M n 均匀掺杂, M OCVD ZnS M n 有效发光中心数目增多, 提高 ∶