STM32汇编语言,LED闪烁实验.doc

;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; ;;;;;;;;;;;;;;LED闪烁实验;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; ;;LED1闪烁频率1Hz，LED2闪烁频率2Hz,LED3闪烁频率4Hz;;; ;;基于状态转换图,S1-S6六种状态 ;;; ;;2011-5-3 by 追梦 ;;; ;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; BIT5 EQU 0BIT8 EQU 0BIT9 EQU 0BIT10 EQU 0LED1 EQU BIT8 ;LED1--PD.8 LED2 EQU BIT9 ;LED2--PD.9 LED3 EQU BIT10 ;LED3--PD.10 GPIOD EQU 0 ;GPIOD 地址 GPIOD_CRL EQU 0 ;低配置寄存器 GPIOD_CRH EQU 0 ;高配置寄存器 GPIOD_ODR EQU 0X4001140C ;输出，偏移地址0Ch GPIOD_BSRR EQU 0 ;低置位，高清除偏移地址10h GPIOD_BRR EQU 0 ;清除，偏移地址14h IOPDEN EQU BIT5 ;GPIOD使能位 RCC_APB2ENR EQU 0STACK_TOP EQU 0 AREA RESET,CODE,READONLY DCD STACK_TOP ;MSP主堆栈指针 DCD START ;复位，PC初始值 ENTRY ;指示开始执行 START LDR R1,=RCC_APB2ENR LDR R0,[R1] ;读 LDR R2,=IOPDEN ORR R0,R2 ;改 STR R0,[R1] ;写，使能GPIOD时钟 ;LED1--PD.8 推挽输出，50MHz ;LED2--PD.9 推挽输出，50MHz ;LED3--PD.10 推挽输出，50MHz MOV R0,#0x333 LDR R1,=GPIOD_CRH ;PD.8\9\10均在高寄存器 STR R0,[R1] LDR R1,=GPIOD_ODR LDR R2,=0x00000F00 MOV R3,#1 LOOP STR R2,[R1] MOV R0,#125 BL DELAY_NMS EOR R2,#LED3 ;翻转LED3 ADD R3,#1 ;计数加1 CMP R3,#1 BEQ STATE1 CMP R3,#3 BEQ STATE2 CMP R3,#5 BEQ STATE3 CMP R3,#7 BEQ STATE4 CMP R3,#8 BEQ STATE5 B GOON STATE1 ;状态1 EOR R2,#LED1 EOR R2,#LED2 B GOON STATE2 ;状态2 EOR R2,#LED2 B GOON STATE3 ;状态3 EOR R2,#LED1 EOR R2,#LED2 B GOON STATE4 ;状态4 EOR R2,#LED2 B GOON STATE5 ;状态5 MOV R3,#0 GOON B LOOP ;继续循环 ;延时R0（us），误差0.5us ;延时超过100us时，误差0.5/R0小于0.5% DELAY_NUS SUB R0,#1 NOP NOP NOP CMP R0,#0 BNE DELAY_NUS ;跳时3个周期 BX LR ;3个周期 ;延时R0（ms），误差((R0-1)*4+12)/8us ;延时较长时，误差小于0.1% DELAY_NMS PUSH {R1} ;2个周期 DELAY_NMSLOOP SUB R0,#1