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TbBi3GaxFe5xO1省略晶体复合结构的生长和在光通信波
26 2 V o.l 26, N o. 2
2007 4 J. Infrared M illmi . W aves A pr il, 2007
: 100 1- 90 14 2007) 02- 0085- 04
(TbBi) Ga Fe O /(TbYbBi) Fe O
3 x 5- x 12 3 5 12
徐志成, 严 密, 吴勇军, 黄 敏, 张志良
, 310027)
: 用助熔剂法生长出掺 B i复合稀土铁石榴石晶体 T bY bB i) F e O ) , 用 T bY bB i) F e O 替 传统的无磁性
3 5 12 3 5 12
G d G a O 晶体作基底液相外延掺 B i稀土铁鎵石榴石薄膜 TbB i) G a Fe O ) . 测量了Tb Yb B i Fe O
3 5 12 3 X 5- X 12 0. 87 1. 62 0. 5 1 5 12
晶体和 Tb B i G a F e O 薄膜 / T b Y b B i F e O 晶体复合结构材料在光通信波段 波长 = 1500 ~
2. 4 3 0. 57 0. 12 4. 88 12 0. 87 1. 62 0. 51 5 12
6 - 5
1620nm ) 处的光透射谱 T ) 饱和磁化强度 M , 0. 5 10 A /m ) 法拉第旋转温度系数 FTC, 5 10 /K ) 和法拉第
s
旋转波长系数 FW C, 0. 05% / nm ) . 所得结果表明: Tb B i G a F e O 薄膜 / T b Yb B i F e O 晶体复合结
2. 4 3 0. 57 0. 1 4. 9 12 0. 87 1. 62 0. 51 5 12
构材料的综合性能适用于宽带和温度稳定的光隔离器及其他光通讯器件.
: 稀土铁石榴石; 薄膜 /晶体复合结构; 磁光性能; 温度系数
: TN8 18; O 482; O 434 : A
GROWTH AN MAGNET
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