Zn1xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 (’ ’ #%%6 ’ ， ， ， Y0= 4(’ X0 4’ ZC=[ #%%6 （ ） *%%%9$#%U#%%6U(’ %’ U8$#69%) R/NR 5VTMW/R MWXW/R !#%%6 /A- 4 5A[D 4 M0F 4 !# $ ! %! ’ 稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究! ! 吴文清 史同飞 张国斌 符义兵 潘志云 孙治湖 闫文盛 徐彭寿 韦世强 （中国科学技术大学国家同步辐射实验室，合肥 #$%%# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #%%’ ( ) #%%’ ** #’ 利用 射线吸收精细结构、射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的 （ + + ,- /0 1 ! 2 * . ! ! ， ）稀磁半导体薄膜的结构和磁性 磁性测量结果表明 样品都具有室温铁磁性 射线衍射结果 % 3%* % 3%# 4 ,- /0 1 4 + * . ! ! 显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构 荧光 射线吸收精细结构测试结果表明，脉冲激光气相沉积法制备 4 + 的样品中的 离子全部进入 晶格中替代了部分 的格点位置，生成单一相的 稀磁半导体 通过对 /0 ,-1 ,- ,- /0 1 4 * . ! ! 射线吸收近边结构谱的分析，确定 薄膜中存在 空位，表明 离子与 空位的相互作用是诱导 + ,- /0 1 1 /0 1 ,-