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具有新型双空穴注入层的有机发光二极管 - 物理学报
物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 8 (2013) 087302
具有新型双空穴注入层的有机发光二极管*
刘佰全12 兰林锋12 邹建华12† 彭俊彪12
1) ( 华南理工大学高分子光电材料与器件研究所, 广州 510640 )
2) ( 发光材料与器件国家重点实验室, 广州 510640 )
( 2012年11月30 日收到; 2012年12月17 日收到修改稿)
′ ′
采用新型双空穴注入层N, N, N , N -tetrakis(4-Methoxy-phenyl)benzidine/Copper phthalocyanine(MeO-TPD/CuPc)
′ ′
及器件结构: ITO/MeO-TPD(15 nm)/CuPc(15 nm)/ N, N -Bis(naphthalen-1-yl)-N, N -bis(phenyl)benzidine (NPB, 15
nm)/8-hydroxyquinoline (Alq , 50 nm)/LiF(1 nm)/Al(120 nm), 研制出高效有机发光二极管 (器件D), 与其他器件
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(器件A, 没有空穴注入层的器件; 器件B, MeO-TPD 单空穴注入层; 器件C, CuPc 单空穴注入层) 相比, 其性能得
到明显改善. 器件D 的起亮电压降至3.2 V, 比器件A, B, C 的起亮电压分别降低了2, 0.3, 0.1 V. 器件D 在 10 V
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时, 其最大亮度为23893 cd/m , 最大功率效率为 1.91 lm/W, 与器件A, B, C 的最大功率效率相比, 分别提高了43%
(1.34 lm/W), 22% (1.57 lm/W), 7% (1.79 lm/W). 性能改善的主要原因是由于空穴注入和传输性能得到了改善, 通过单
空穴型器件的J -V 曲线对这一现象进行了分析.
关键词: 有机发光二极管, 空穴注入层, 功率效率, 势垒
PACS: 73.21.Ac, 73.40.Lq, 73.40.Jn, 73.61.Ph DOI: 10.7498/aps.62.087302
空穴注入层, 研究了器件的发光性能, 发现单空穴
1 引言 注入层V O 和双空穴注入层Au/V O 导致器件
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的性能差异较大, 具有双空穴注入层Au/V O 的器
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由于有机发光二极管(OLED) 具有亮度高、功 11
件效率较高. Hou 等 在倒置型顶发射OLED 器
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