电沉积CuCo纳米多层膜及其巨磁电阻性能的分析.pdfVIP

中文摘要 本论文采用双脉冲控电位技术，在P型单晶硅(111)面上电沉积了不同调制 波长(^)的Cu／Co纳米多层膜。扫描电镜(SEM)测试表明多层膜的层状结构 清晰连续，各子层厚度均匀。采用X壕}线衍射(Ⅺ①)分析了不同调制波长的多 层膜的结构。研究表明调制波长为20～160rim时，镀层属外延生长，随调制波长 的减小，外延生长的影响越来越明显。调制波长小于20nm时，XRD谱图主峰两 侧出现卫星峰，表明多层膜形成超晶格结构。cu、co的沉积电位(cOc。、Qc。)对 多层膜生长取向有明显影响：随着妒c。负移，多层膜(111)面的取向系数(Tc) 逐渐减小；随着Qc。的负移，多层膜(111)面的Tc逐渐增大。当co的沉积电位 常明显。 采用四探针法测试了Cu／Co多层膜的巨磁阻(GMR)性能，考察了’BCu层 co)、周期数及沉积电位对GMR性能的影响。研究表明， 厚度(6c。)、co层厚度(6 此时，多层膜的GMR值随6 c。的增加而周期性振荡，并在1．3mn、2．8nm、3．5rtm 处出现极值；控制8c。为3．5nm，GMR值随co层厚度的减小而增大，当其厚度 小于O．8nm时则无明显的GMR效应。此外，随周期数的增大和铜、钴沉积电位 co=2nm，N=300 的负移，多层膜GMR值增大。当中萨一0．6V，币萨一1．1V，8。=3．5nm，8 时，多层膜GMR高达14％。 ， 采用双电流模型解释了多层膜出现GMR效应的原因，并结合磁滞回线结果对 这一理论进行了初步的证明。 关键词： 控电位沉积 Cu／Co纳米多层膜结构 巨磁阻性能 Abstract Cu／Co withdifferent X were on f 1 nanomultilayerswavelengthelectrodeposited Si do西Ie metho蠡under contr01．髓e of p-type resultsSEM by pulse potential showsthatthe ofthe iS distinetand thethickness sublayermultilayer continuous，and ofeach iSalmostthe ofthe sa／ne。骶把structure withdifferent sublayer multilayer WaS characterized inthe wavelength XRD：when^isof20～160nm．111e by range withthedecrease effect grows of凡，the multilayer epitaxially,and ofepitaxygrowth ismoreand