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硅基衬底中二次离子(簇)形成及能量分布的研究
ABSTRACT
Inthisarticle．we theannealedSOI IonMass
analyze sample、vimSecondary
withitsfunctionsof Profileand
CAMECA一6f Depth Energy
Spectrometry
to the andthe distributionofthe
Distribution
investigatesputteringprocess energy
ion researchisfocusedonthe
ionand cluster．Another relationship
secondary among
andtheinitial
the ionbeam kinetic ofthe
primary energy，theyield energy sputtered
that article
ions．Onthebaseof extractsthedeductionofthe
research，the secondary
withthe beam
ionsandion distribution ion
clusters’energy primary energy．The
inthisarticleare to thetest of Ion
researches hetpfutimprove techniqueSecondary
Mass
Spectrometry．
IonMass clusterformation
Keywords：SecondarySpectrometry、ion andemission、
ofthe ionsandion
distribution clusters、total
energy secondary sputteryield
摘 要
本文对退火SOI样品进行二次离子质谱深度分析和能量分析，揭示了硅和二
氧化硅中离子(簇)的形成发射过程以及能量分布机理，并且在研究入射束能量
与总粒子溅射产额、出射粒子初始动能关系的基础上，总结出了二次离子(簇)
能量分布随入射束能量改变的演变规律。本文的研究有助于改进二次离子质谱的
分析技术。
关键词：二次离子质谱、离子簇形成和发射、二次离子(簇)能量分布、总粒子
溅射产额
硅基衬底中二次离子(簇)形成及能量分布的研究
第一章 引言
二次离予质谱是一种用于分折固体材料表面
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