上鼎12吋Fab简报1217.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 集成電路EPC重點--空間管理 集成電路EPC重點--空間管理 集成電路EPC重點--空間管理 集成電路EPC重點--空間管理 排列優先考量項目：路徑變更不易、大空間佔據或貴重材料管線 如污/排水幹管、BUSWAY、風管、消防/冰水幹管電氣、電信線槽 考量進出、搬運動線、維修之基本限高需求。 空間規劃高層圖 集成電路EPC重點--空間管理 實例:設備管線層 立面套繪及現場實景 淨高及動線考量 公司簡介 集成電路EPC重點 重點實績介紹 Contents 重點實績介紹—茂德12”DRAM廠 300 mm2, class 100/1000 wafer Fab. facility with a capacity of 40K WOPM and the geometries of 70 nm to 50 nm. 重點實績介紹—茂德12”DRAM廠 CHILLER CAPACITY KW 13125 容量 9℃-1250RT熱回收 設備編號 KW 68250 容量 9℃-1500RT 設備編號 KW 13125 容量 5℃-1250RT 設備編號 PCW SYSTEM 3340 PCW-HX 1680 PCW PUMP KW 總流量 CMH 設備 重點實績介紹—茂德12”DRAM廠 HV SYSTERM 2520 Bag Separator 2400 Vacuum Producer REMARK 總流量 CMH 設備 PV SYSTEM 2160 Vacuum Pump REMARK 總流量 CMH 設備 重點實績介紹—茂德12”DRAM廠 PROCESS EXHAUST 420000 Vex-orgamic abatement 160000 Bex-Alkaline scrubber 650000 Aex-acid scrubber 360000 GEX REMARK 總量 CMH 設備 重點實績介紹—茂德12”DRAM廠 廠區煙囪排氣模擬--模擬外型 N 重點實績介紹—茂德12”DRAM廠 模擬結果-西北風=4.5 m/s酸氣污染物濃度為1x10-4ppm等濃度面 V=4.5 m/s 重點實績介紹—茂德12”DRAM廠 模擬結果-東南風=4.5 m/s酸氣污染物濃度為1x10-4ppm等濃度面 V=4.5 m/s 重點實績介紹—穩懋半導體 穩懋半導體 生產製程重點說明 全球首座以六英吋晶圓生產砷化鎵微波積體電路。 先進的砷化鎵微波電晶體及積體電路製造生產製程。 穩懋目前量產之產品，包含1微米 HBT 、2微米 HBT、0.5微米 pHEMT Switch、0.5微米 power pHEMT和高頻0.15微米、0.1微米 pHEMT。 重點實績介紹—穩懋半導體 無塵室環境的要求 與產品接觸之環境 潔淨度:CLASS 10 溫度:22±0.5℃ 相對濕度:45±5% 相鄰之維修區皆以AIR LOCK及AIR SHOWER隔離，並以壓差控制氣流方向。 重點實績介紹—穩懋半導體 特殊工法 無塵管橋 本案製程產品動線採用無塵管橋，於兩棟生產廠房跨棟別運送人員及半成品晶圓。 A棟廠房銜接位置為CLASS1000，需在影響生產最小之情況下施工。 重點實績介紹—穩懋半導體 特殊工法 無塵室空間管理 本案以既有舊廠改建為無塵室，樓高僅4.5M，採取特殊之管路配置及空間管理，以充分利用有限之建築空間。 必須詳細檢討生產設備高度、搬運動線、管線施工及維修空間。 重點實績介紹—穩懋半導體 上鼎的價值 1. 重視節能與能源再利用 VOC系統採用RTO回收廢熱，供給脫附熱源。 熱廢氣排出前再次做熱回收，提供空調用熱水。 2. 重視環保與系統功能 蓄熱磚之熱回收率可達90~95%。 可節省燃料成本及CO2排放。 燃燒後總碳氫化合物消減率大於90%。 蓄熱磚回收熱能 重點實績介紹—采鈺科技 采鈺科技新竹廠統包工程 工程範圍(EPC統包工程) 整地、鑽探、景觀、建築、結構、土木、 空調、消防、水電、照明、門禁、通訊、 C/R、CDA、PCW、DI、IWWT、FMCS、 Scrubber、Gas、Chemical。 工程期程：2006/11 ~ 2008/04 工程說明: 無塵室工程施作 工程說明: 各系統管線安裝 工程說明: PCW系統安裝完成 工程說明: 變電站安裝完成 工程說明: 廠房主體結構完成 工程說明: 廚房設備安裝 重點實績介紹—采鈺科技 產品概述 主要產品： 彩