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集成氧化物TFT周边驱动电路进展
集成氧化物TFT周边驱动电路进展
报告人:廖聪维
日期:2013-11-20
Outlines
1 背景介绍
IGZO 集成周边驱动电路现状
主要问题和挑战
2 低功耗IGZO GIA研制
从逻辑部分低功耗出发
从发光部分低功耗出发
3 IGZO VCO
VCO测试结果
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IGZO 集成周边驱动电路现状(1)
像素区 周边驱动区
窄边框TFT面板周边可能包括
GIA 电路
VCOM走线,ESD 以及测试结构
DC/DC ,level shifter等其他电路
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IGZO 集成周边驱动电路现状(2 )
I公司窄边框面板roadmap(正在研究)
a-Si GIA,HD, 1.2mm 的实现
IGZO GIA 的实现
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IGZO 集成周边驱动电路现状(3 )
目前,I公司的IGZO面板的GIA 电路架构与a-Si 的相同
TFT尺寸等比例地缩小到a-Si 的1/10
已经成功点亮4.7英寸窄边框IGZO 液晶面板,良率~10%
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IGZO 集成周边驱动电路现状(4 )
4.7英寸窄边框IGZO 液晶面板
IGZO-GIA部分显微照片
1 背景介绍
主要问题和挑战(1)
器件方面
IGZO 良率偏低
稳定性不好
电路方面
没有体现IGZO 特点,发挥其优势
更多电路可能集成到显示面板上
1 背景介绍
主要问题和挑战(2)
Sharp,Semiconductor Energy Laboratory等着力宣传IGZO 的
低漏电、低功耗优势
H. Inoue, et al, Nonvolatile Memory With Extremely
Low-Leakage Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film
Transistor, JSSC, 2012
Outlines
1 背景介绍
IGZO 集成周边驱动电路现状
主要问题和挑战
2 低功耗IGZO GIA研制
面向低逻辑功耗的IGZO 面板设计
面向低发光损失的IGZO 面板设计
3 IGZO VCO
VCO测试结果
相关报道
2 低功耗IGZO GIA研制
低逻辑功耗的IGZO面板设计(1)
Semiconductor Energy Laboratory
Power consumption is reduced by variable frame frequency (from
1/60 fps to 120 fps) depending on images
S. Amano, et al, Low Power LC Display Using In-Ga-Zn-Oxide TFTs Ba
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