P + 区注入，形成PMOS管的源.PPT

4、光II---有源区光刻，刻出PMOS管、NMOS管的源、栅和漏区 5、光III---N管场区光刻，N管场区注入孔，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。 6、长场氧，漂去SiO2及Si3N4，然后长栅氧。 7、光Ⅳ---p管场区光刻（用光I的负版），p管场区注入， 调节PMOS管的开启电压，然后生长多晶硅。 8、光Ⅴ---多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻 9、光ⅤI---P+区光刻，刻去P管上的胶。P+区注入，形成PMOS管的源、漏区及P+保护环（图中没画出P+保护环）。 10、光Ⅶ---N管场区光刻，刻去N管上的胶。 N管场区注入，形成NMOS的源、漏区及N+保护环（图中没画出）。 11、长PSG（磷硅玻璃）。 12、光刻Ⅷ---引线孔光刻。 13、光刻Ⅸ---引线孔光刻（反刻Al）。 8.7 RS触发器 p.154 2、单元配置恰当 （1）芯片面积降低10%，管芯成品率/圆片 可提高15?20%。 （2）多用并联形式，如或非门，少用串联形式，如与非门。 （3）大跨导管采用梳状或马蹄形，小跨导管采用条状图形，使图形排列尽可能规整。 5、双层金属布线时的优化方案 （1）全局电源线、地线和时钟线用第二层金属线。 （2）电源支线和信号线用第一层金属线（两层金属之间用通孔连接）。 （3）尽可能使两层金属互相垂直，减小交叠部分得面积。 7) CMOS反相器 版图流程 1. 阱——做N阱和P阱封闭图形处，窗口注入形成P管和N管的衬底 2. 有源区——做晶体管的区域（G、D、S、B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 4. 有源区注入——P+、N+区（select)。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5. 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7. 通孔——两层金属连线之间连接的端子 8. 金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 1. 有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处，金属和多晶连线多做在场区上。 2. 有源区和P+,N+注入区的关系：有源区即无场氧化层，在这区域中可做N型和P型各种晶体管，此区一次形成。 3. 至于以后何处是NMOS晶体管，何处是PMOS晶体管，要由P+注入区和N+注入区那次光刻决定。 4. 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和P+注入区交集处即形成P+有源区， P+注入区比所交有源区要大些。 5. 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和N+注入区交集处即形成N+有源区， N+注入区比所交有源区要大些。 6. 两层半布线 金属，多晶硅可做连线，所注入的有源区也是导体，可做短连线（方块电阻大）。三层布线之间，多晶硅和注入有源区不能相交布线，因为相交处形成了晶体管，使得注入有源区连线断开。 7. 三层半布线 金属1，金属2 ，多晶硅可做连线，所注入的有源区也是导体，可做短连线（方块电阻大）。四层线之间，多晶硅和注入有源区不能相交布线，因为相交处形成了晶体管，使得注入有源区连线断开。 硅栅CMOS 版图和工艺的关系 须解释的问题： * N-Si P-well Si3N4 光刻胶 N-Si P- B+ N-Si P- N-Si P- B+ 多晶硅 N-Si P- N-Si P- B+ 光刻胶 N-Si P- As PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ VDD IN OUT P N S D D S Al 特性表实际上是一种特殊的真值表，它对触发器的描述十分具体。这种真值表的输入变量（自变量）除了数据输入外，还有触发器的初态，而输出变量（因变量）则是触发器的次态。特性方程是从特性表归纳出来的，比较简洁；状态转换图这种描述方法则很直观。 ？ ？ MR,P MR,N 图例： 实线：扩散区， 虚线：铝， 阴影线：多晶硅、 黑方块：引线孔 N阱 6) CMOS IC 版图设计技巧 1、布局要合理 （1）引出端分布是否便于使用或与其他相关电路兼容，是否符合管壳引出线排列要求。 （2）特殊要求的单元是否安排合理，如p阱与p管漏源p+区离远一些，使?pnp?，抑制Latch-up，尤其是输出级更应注意。 （3）布局是否紧凑，以节约芯片面积，一般尽可能将各单元设计成方形。 （4）考虑到热场对器件工作的影响，应注意电路温度分布是否合理。 3、布线合理 布线面积往往为其电路元器