一种高性能曲率补偿带隙基准源的设计-微电子学.PDF

第 卷 第 期 微 电 子 学 , 46 3 Vol.46 No.3 年 月 2016 6 Microelectronics Jun.2016 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 一种高性能曲率补偿带隙基准源的设计 , 李 睿 冯全源 ( , ) 西南交通大学 微电子研究所 成都 611756 : , , 。 摘 要 在传统带隙基准的基础上 利用曲率补偿和预稳压结构 设计了一种高性能带隙基准源 , , 利用MOS管在亚阈值区域时的指数特性 对基准电压进行曲率补偿 使用预稳压结构提高电源抑 。 , ( )。 制能力 该电路结构简单 实现了较宽的电压输入范围 2.5~10V 在 UMC0.25 mBCD工 μ , , , ; 艺上进行仿真 结果表明 电源电压为2.5~10V 基准电压变化峰峰值为 142 V 温度在-40℃ μ , -7/ ; , ; , ~150℃内 电路的温度系数为8.0×10 ℃ 低频时 电源抑制比为-95dB电源电压为5V时 静态功耗电流为10.4 A。 μ : ; ; ; 关键词 带隙基准 亚阈值 预稳压 温度系数 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN433 A 1004-3365201603-0328-04 DesinofaHihPerformanceCurvatureCom ensation g g p Banda Reference gp , LIRuiFENGQuanuan y ( , , , ) Instituteo Microelectronics SouthwestJiaoto