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第1单元 检测题 （共100分，120分钟） 一、填空题：（每空1分，共28分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。 2、双极型三极管内部有 基 区、 发射 区和 集电 区，有 发射 结和 集电 结及向外引出的三个铝电极。 3、PN结正向偏置时，内、外电场方向 相反 ，PN结反向偏置时，内、外电场方向 相同 。 4、二极管的伏安特性曲线上可分为 死 区、 正向导通 区、 反向截止 区和 反向击穿 区四个工作区。 5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通 。 6、双极型三极管简称晶体管，属于 电流 控制型器件，单极型三极管称为 MOS管，属于 电压 控制型器件。MOS管只有 多数 载流子构成导通电流。 7、晶闸管既有单向导电的 整流 作用，又有可以控制导通时间的作用。晶闸管正向导通的条件是 阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压 ，关断的条件是 晶闸管反偏或电流小于维持电流 。 8、晶闸管有阳极、 阴 极和 门控 极三个电极。 二、判断正误：（每小题1分，共12分） 1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体带负电.。 （ × ） 2、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。 （ × ） 3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10K档位。 （ × ） 4、PN结正向偏置时，其内电场和外电场的方向相同。 （ × ） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （ × ） 6、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。 （ × ） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。 （ × ） 8、三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必定被击穿。 （ × ） 9、场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和源极就不能互换使用。 （ √ ） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （ × ） 11、晶闸管门极上加正向触发电压，晶闸管就会导通。 （ × ） 12、晶闸管触发脉冲与主电路不需要同步。 （ × ） 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（ C ）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ，说明该二极管（ A ）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（ A ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。 A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。 A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。 9、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流ICM； B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO； C、集电极最大允许耗散功率PCM； D、管子的电流放大倍数。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ B ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反