离子刻蚀技术现状与未来发展.PDF

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离子刻蚀技术现状与未来发展

6 2 Vo l . 6 , N o. 2 1998 4 OPT ICS A N D PR ECISION EN G IN EER IN G A pr il , 199 8 任延同 ( 中国科学院长春光学精密机械研究所  长春 130022) , 1 1948 , , , , , , 10m , , , , , , , , , , , , , , , , , 1 , ( 1) ; ( 2) ; 1997- 10- 06 1998- 0 1- 09 6 8 ( 3) ; ( 4) , ; ( 5) ; ( 6) ; ( 7) , ; ( 8) , ; ( 9) , ( 1) ( 2) ( 3) , ; ( 4) ( 5) ( 6) , -; ( 7) ( 8) ( 9) , , - 1 - Table Feature of normal ion etching technology Pr inciple plasma ero sio n ( PE ) r eaction ion -et ching( RIE ) io n beam etching ( I BE ) o f er osion r eaction ion io n beam low er p ar allel r eaction thr ee re action er osio n m ode shield r ub contr olled by ion m illing aided by r eaches plant ion pole ion beam ma gnetic chemical dat e o f app ear 70 7 5 72 74 76 84 7 5 78 8

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