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照明级LED芯片技术及其应用简介
潘群峰
三安光电股份有限公司
内容概要
• 大功率LED的发展和现状
• 芯片关键参数的评估
• 大功率LED芯片的合理应用
• LED芯片前沿技术展望
2011-4-28 2
（一）大功率LED的发展和现状
2011-4-28 3
氮化镓(GaN)基LED芯片
Nichia, 1997 Cree, 1997
蓝宝石衬底，水平(正装)结构 碳化硅衬底，垂直(非薄膜)结构
Ni/Au半透明电极 P面出光(p-side up)
大功率LED芯片的发展演变(sapphire)
正装Ni/Au 倒装芯片结构
(Lumileds, 1999年) (Lumileds, 2001年)
正装ITO 垂直薄膜结构
(Elite, 2005年) (Osram, 2004年)
大功率LED芯片的发展演变(SiC)
(OSRAM)
MegaBright XBright EZBright
(Cree) (Cree) (Cree)
倒装芯片 (Flip-chip)
Philips Lumileds
Luxeon K2
倒装芯片关键技术
p型反射电极系统
倒装焊基板设计
sapphire
n-GaN
MQW
p-GaN
P N
n+ n+
p-Si submount
倒装芯片关键技术
待倒装芯片 倒装键合机
硅基板
植球机
倒装芯片 (Flip-chip)
UEC(2004年) Optotech(2006年) Genesis(2005年)
FD(2004年) Sanan(2005年)
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