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第四章 无辐射跃迁
Nonradiative Transition
光发射
光吸收 无辐射跃迁
能量传递
提纲
4.1 引言
4.2 孤立发光中心的无辐射跃迁
4.2.1 弱耦合情况 S≈0
4.2.2 中等和强耦合情况
4.3 效率
4.4 高能激发下最大效率
4.5 光电离与电子迁移猝灭
4.6 半导体中的无辐射跃迁
4.1 引言
无辐射跃迁的定义:处于激发态
的中心,不是通过辐射跃迁的方
式回到基态,而是通过无辐射的
方式回到基态,耗散掉它的激发
能量,最终表现为产生热量的形
式(发射声子) 。
辐射跃迁与无辐射跃迁是激发态
回到基态的两种方式,因此这两
个过程是竞争关系。 室温时,紫外光激发下,几
种发光材料的发光量子效率
然而有些情况下无辐射跃迁可以 (发射光子数/吸收光子数)
帮助发光中心提高占据效率,从
而提高相应能级的发光效率。
4.2 孤立发光中心的无辐射跃迁
位型坐标图
g基态,e、e’是激发态
(a)基态与激发态抛物线有交叉,
足够高的温度,激发态e进入
基态g,通过无辐射跃迁到基
态。
(b)基态与激发态抛物线平行,无
交叉,一般不会发生(a)中
的过程,但如果声子能量足够
大,△E≤4,5个声子能量,可
以通过无辐射跃迁回到基态。
这个过程叫做多声子发射。
(c)一个基态,两个激发态。激发
态e进入激发态e’,在产生辐射
跃迁。
3+
红宝石(Al O :Cr )三能级系统
2 3
1=g→e=4 4
A → T
2 2
4 2
2=e→e’= T → E
2
3=e’→g=2 4
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