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光电子技术学课件之十五光电成像系统1固
* 光电子技术学课件之十五: ——第五章光电成像系统 (1) §1 固体摄像器件 制作者: 赣南师范学院物理与电子信息学院: 王形华 教学目的 1、掌握CCD的结构和工作原理、光电 成像原理、光电成像光学系统; 2、了解微光像增强器件和纤维光学成 像原理。 教学重点与难点 重点:CCD的结构和工作原理、光电成像原理、 光电成像光学系统的组成。 难点:CCD的结构和工作原理、调制传递函数 的分析。 §0 光电成像概述 一、光电成像系统的分类: 按照光电成像系统对应的光波长范围,光电成像系统可以分为:可见光、紫外光、红外光、 X光光电成像系统。 二、光电成像系统要研究的问题 光电成像涉及到一系列复杂的信号传递过程。有四个方面的问题需要研究: 能量方面——物体、光学系统和接收器的光度学、辐射度学性质,解决能否探测到目标的问题 成像特性——能分辨的光信号在空间和时间方面的细致程度,对多光谱成像还包括它的光谱分辨率 噪声方面——决定接收到的信号不稳定的程度或可靠性 信息传递速率方面—— 成像特性、噪声信息传递问题,决定能被传递的信息量大小 三、光电成像系统基本组成的框图 其中光电成(摄)像器件是光电成像系统的核心。 §1 固体摄像器件 固体摄像器件的功能:把入射到传感器光敏面上按空间分布的光强信息(可见光、红外辐射等),转换为按时序串行输出的电信号—— 视频信号。其视频信号能再现入射的光辐射图像。 固体摄像器件主要有三大类: 电荷耦合器件(Charge Coupled Device,即CCD) 互补金属氧化物半导体图像传感器(即CMOS) 电荷注入器件(Charge Injenction Device, 即CID) 目前,前两种用得较多,我们这里只分析CCD一种。 一、电荷耦合摄像器件 电荷耦合器件(CCD)特点——以电荷作为信号。 CCD的基本功能——电荷存储和电荷转移。 CCD工作过程——信号电荷的产生、存储、传输和检测的过程。 (1)、 CCD的基本结构包括:转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构。构成CCD的基本单元是MOS电容。 1、电荷耦合器件的基本原理 一系列彼此非常接近的MOS电容用同一半导体衬底制成,衬底可以是P型或N型材料,上面生长均匀、连续的氧化层,在氧化层表面排列互相绝缘而且距离极小的金属化电极(栅极)。 (2)、电荷存储 以衬底为P型硅构成的MOS电容为为例。 当在金属电极加上一个正阶梯电压时,在Si-SiO2界面处的电势发生变化,附近的P型硅中的多数载流子-空穴被排斥,形成耗尽层。如果栅极电压超过MOS晶体管 的开启电压,则在Si-SiO2界面处形成深度尽状态,电子在那里势能较低-形成了一个势阱。如有信号电子,将聚集在表面,实现电荷的存储。此时耗尽层变薄。势阱的深浅决定存储电荷能力的大小。 (3)、电荷转移 CCD的转移电极相数有二相、三相、四相等。对于单层金属化电极结构,为了保证电荷的定向转移,至少需要三相。这里以三相表面沟道CCD为例。 表面沟道器件,即 SCCD(Surface Channel CCD)——转移沟道在界面的CCD器件。 表面沟道器件的特点: 工艺简单,动态范围大,但信号电荷的转移受表面态的影响,转移速度和转移效率底,工作频率一般在10MHz以下。 体内沟道(或埋沟道CCD): BCCD(Bulk or Buried Channel CCD)——用离子注入方法改变转移沟道的结构,从而使势能极小值脱离界面而进入衬底内部,形成体内的转移沟道,避免了表面态的影响,使得该种器件的转移效率高达99.999%以上,工作频率可高达100MHz,且能做成大规模器件。 (4)、光信号的注入 CCD的电荷注入方式有电信号注
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