光伏检测与分析替代教材硅材料检测技术.DOC

光伏检测与分析替代教材硅材料检测技术.DOC

  1. 1、本文档共5页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
光伏检测与分析替代教材硅材料检测技术

《光伏检测与分析》替代教材《硅材料检测技术》 课程基于网络考核方案 一、考核改革的目的 1.通过本课程考核的改革,深入探索现代远程开放教育、成人学习课程考核的基本模式; 2.通过本课程考核的改革,探索《光伏检测与分析》替代教材《硅材料检测技术》课程的形成性考核和终结性考试的目标、形式、题型、题量、难易程度等; 3.通过本课程考核的改革,进一步强化教学过程的落实,指导学生在学习过程中理解把握课程的内容,引导学生实现各个学习环节,达到学习目标; 4.探索远程成人考核的信度、效度,保证学习质量。 二、考核对象 本课程适合工学科动力能源类《光伏发电技术及应用》专业(专科)使用。 三、考核目标 通过考核既要检测学生对光伏(硅)材料检测技术基本理论知识的掌握程度,又要检测学生对专业理论知识的运用程度,重点考核学生的专业实践能力。 四、考核方式 本课程考核由网上形成性考核和网络终结性考试相结合形式。形成性考核占总成绩的50%,由4次作业构成,登陆形成性考核系统进行,随平时学习过程中完成;终结性考试占总成绩的50%,登陆终考考试系统进行,在学期末进行,具体时间及安排见国家开放大学统一考试安排。课程考核成绩满分100分 (一)形成性考核 通过形成性考核一方面可以加强对地方电大教师教学过程的引导、指导和管理,优质的完成教学任务,实现教学目标;另一方面可以加强对学生平时自主学习过程的指导和监督,重在对学生自主学习过程进行的指导和检测,引导学生按照教学要求和学习计划完成学习任务,达到掌握知识、提高能力的目标,提高学生的综合素质。 第一部分 形考说明 设计4次测验题,占课程综合成绩的50%。 形式:4次测试题,题型有单项选择题,多项选择题,判断题,配伍题。 注:每次形考任务按百分制进行成绩评定。 操作:所有形成性考核试题均由国家开放大学统一编制。 第二部分 形考内容 序号 章节 内容 形式 发布 时间 最迟提交 时间 权重 1 第一章 第二章 硅单晶常规电学参数的物理测试 化学腐蚀法检测晶体缺陷 单项选择题,多项选择题,判断题,配伍题 第3周 第4周 30% 2 第三章 第四章 半导体晶体定向 红外吸收法测定硅单晶中的氧和碳的含量、多晶硅中基硼、基磷含量的检验 单项选择题,多项选择题,判断题,配伍题 第6周 第7周 30% 3 第五章 第六章 纯水的检测 高纯分析方法 单项选择题,多项选择题,判断题,配伍题 第9周 第10周 20% 4 第六章 第七章 高纯分析方法 其他物理检测仪器简介 单项选择题,多项选择题,判断题,配伍题 第12周 第13周 20% 第一次考核目的与要求 学习完第一章、第二章之后完成本测试(100分)。 题型:单项选择题、多项选择题,判断题,配伍题。 样题: 1.单项选择题(每小题2分) ( )是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。 冷热探笔法 B.三探针法 C.单探针点接触整流法 D.冷探笔法 答案:A 2.多项选择题(每小题3分) 国内外导电类型测量的具体方法主要有( )。 A.冷热探笔法 B.三探针法 C.单探针点接触整流法 D.冷探笔法 答案:ABCD 3.判断题(每小题2分) 位错是半导体中最主要的缺陷,它属于线缺陷。 答案:√ 4.配伍题(每小题3分) 将下列缺陷一一对应。 (1)空位 A.点缺陷 (2)位错 B.线缺陷 (3)层错 C.面缺陷 答案:(1)-A、(2)-B、(3)-C 目的: 考查学生对基本理论和基本概念的掌握程度,并检测学生运用基本理论和基本概论分析相关专业问题的能力。帮助学生找出学习的薄弱环节,明确努力的方向,帮助教师了解学生的学习效果,根据学生的需求不断调整教学策略,提高教学效果。 要求: 1.认真研读教材第一、二章内容,理清各知识点之间的联系和主要脉络。 2.认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题。 解题思路: 1.冷热探笔法测试硅单晶导电类型以及测试原理和操作步骤;四探针法测试硅单晶电阻率的原理及操作步骤; 2.硅单晶导电类型、多数载流子、少数载流子、非平衡少数载流子寿命等参数的概念; 3.硅单晶电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂;硅单晶中缺陷的腐蚀;测试方法及步骤; 4.影响硅单晶电化学腐蚀速度的各种因素。 第二次考核目的与要求 学习完教材第三章、第四章以后完成本测试(100分)。 题型:单项选择题、多项选择题,判断题,配伍题。 目的: 考查学生对基本理论和基本概念的掌握程度,并检测学生运用基本理论和基本概论分析相关专业问题的能力。帮助学生找出学习的薄弱环节,明确努力的方向,帮助教师了解学生的学习效果,根据学生的需求不断调整教学策略,提高教学效果

文档评论(0)

youbika + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档