半桥驱动集成电路IR04.PDF

维普资讯 查询TMS320LF2407DSP供应商 捷多邦，专业PCB打样工厂，24小时加急出货 半桥驱动集成电路IR2304 · 佘 艳 孙云莲 · 摘要 IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片，该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路，可直接驱 动两个功率半导体器件MOSFET或IGBT，动态响应快，驱动能力强，工作频率高，具有多种保护功能。本文介绍了其功能特点、 工作原理和典型应用电路。 IR2304的功能特点 表 1IR2804 推荐 的工作参数 符号 名 称 量小值 量大值 单位 IR2304是国际整流器公司推出的具有多功能6OOV高端及 Vin 高低端逻辑输入 (HIN、LIN ) CoM Vcc Vcc 逻辑 电源与低端电源电压 10 20 低端驱动集成电路，这种适于功率MOSFET、IGBT驱动的自举 Lo 低端驱动输 出 COM Vcc V 式集成电路在照明镇流器、电源及电机等功率驱动领域中将获 Vs 高端浮偏电源参考电压 注 1 600 Ho 高端驱动输 出电压 Vs VⅡ 得广泛的应用。其性能特点如下：(1)该电路芯片体积小 VH 高端浮置 电源 电压 V 10 Vs士20 (DIP8)、集成度高 (可同时驱动同一桥臂的上、下两只开关器 T^ 环境温度 40 125 。C 件)；(2)动态响应快。典型通断延迟时间220／220ns，内部死 区时间lOOns，匹配延迟时间50ns；(3)驱动能力强，可驱动 600V主电路系统。具60mYdl30mA输出驱动能力，栅极驱动输 表 2 IR2304的极限参数 入电压宽达 10～20V；(4)工作频率高。可支持100kHz或以下 符号 名称 最tJ*值 最大值 单位 的高频开关，配合IRF830或IRFBC30--类较小巧的MOSFET或 VB 高端浮置 电源 电压 一0．3 625 Vs 高端浮馆 电源参考电压 VH一25 VR+0-3 IGBT使用；(5)输入输出同相设计。提供高端和低端独立控制 VHO 高端浮置驱动输出电压 V 0．3 V+0．3 驱动输出，可通过两个兼容3．3、5V和15V输入逻辑的独立CMOS Vcc 逻辑输入部分工作 电源 电压 一03 25 V VLO 低端驱动输 出电压 一03 Vcc+03 或LSTFL输入来控制，为设计带来了很大的灵活性；(6)低功 Vin 逻辑输入 电压 (HIN ．LIN) 03 Vcc+0．3 耗且实现坚固耐用而防噪效能又极高的设计。IR2304驱动集成 CoM 逻辑地