SiH 4 Si + 2H 2 National Nano Device - 国家奈米元件实验室.PPT

下载文档

3
0
约1.08千字
约 6页
2017-08-05 发布于天津
举报
版权申诉
保障服务

SiH 4 Si + 2H 2 National Nano Device - 国家奈米元件实验室.PPT

1、本文档共6页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

SiH4Si2H2NationalNanoDevice-国家奈米元件实验室

National Nano Device Laboratories Create for the future 國家奈米元件實驗室垂直爐管標準製程標準製程垂直爐管 Tube1_Dry Oxide Description：Dry Oxide是以APCVD的方式成長，通入純氧跟矽基板反應形成SiO2，薄膜成長速度慢，適合用於成長較薄的氧化層。反應氣體：反應溫度：800-900 ℃ Application： Gate Oxide、犧牲氧化層、Pad Oxide。 Tube1_Wet Oxide Description：Wet Oxide是以APCVD的方式成長，用氫氧點火的方式產生水氣，水氣再跟矽基板反應形成SiO2，適合用於成長較厚的氧化層。反應氣體：反應溫度：900-1000 ℃ Application：適合用於 MOSFETs 的場氧化層(Field Oxide)製程。 2O2 + H2 ? 2H2O Si + H2O ? SiO2 + 2H2 T2_N+ Poly-Si Description：N+ Poly-Si是以LPCVD的方式沈積，適用於 MOSFETs的閘極製程。此Poly-Si 摻雜PH3，經回火後，阻值降低。反應氣體：SiH4、PH3沈積溫度：550 ℃沈積壓力：600 mtorr Application：適合用於 MOSFETs 的閘極製程。 Tube2_Poly-Si Description：Poly-Si是以水平爐管LPCVD的方式沈積，適用於 MOSFETs的閘極製程。此Poly-Si 並未摻雜，阻值高，一般會以離子佈植做摻雜，加溫回火(Anneal)，使阻值降低。反應氣體：沈積溫度：623 ℃沈積壓力：200 mtorr Application：適合用於 MOSFETs 的閘極製程。 SiH4 ? Si + 2H2 Tube2_α-Si Description：α-Si是以LPCVD的方式沈積，適用於 MOSFETs的閘極製程。此α-Si並未摻雜，阻值高，一般會以離子佈植做摻雜，加溫回火(Anneal)，使阻值降低。反應氣體：沈積溫度：550 ℃沈積壓力：200 mtorr Application：適合用於 MOSFETs 的閘極製程。 SiH4 ? Si + 2H2 National Nano Device Laboratories Create for the future 國家奈米元件實驗室垂直爐管標準製程