ZnO薄膜的光电性能.pptx

ZnO薄膜的光电性能; 近年来，透明导电氧化物薄膜材料因其在光学、电学、压电等方面的特性广为人们所研究,ZnO薄膜就是其中一种。 ZnO薄膜是一种重要的透明导电膜具有原材料廉价，无毒，化学性质稳定，易于制备，性能价格比高等优点。;; ZnO薄膜主要用于太阳能电池，它与之前所用的氧化铟锡( ITO) 和二氧化锡透明导电薄膜相比，生产成本低，无毒，稳定性高( 特别是在氢等离子体中) ， 对促进廉价太阳电池的发展具有重要意义 。 ;;第一 ，宽带隙使ZnO在可见光波段(400~800nm)有高达80%的光学透过率，ZnO材料高激子结合能使其在室温下的受激辐射能在较低阈值出现，是一种理想的紫外光发射材料。;第二，ZnO高熔点的物理特性(1975 ) ℃，使其具有很好的热化学稳定性。ZnO薄膜可在低于600℃下获得，有利于降低设备成本，可大大减少高温制备条件下产生的缺陷，提高薄膜质量。;; 为分析ZnO薄膜的综合光电特性，引入品质因子作为量化ZnO薄膜综合光电特性的指标： 　式中FTC ,RS,T 分别为样品的品质因子，方块电阻,透光率。其中Ｔ的取值为样品在360 ~ 960 nm波长范围内的平均透光率。FTC的值越大,样品的综合性能越好 .; 蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铜箔膜等薄膜状导电材料，衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。什么是方阻呢？方阻就是方块电阻，指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻，如图所示，即B边到C边的电阻值。方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。;（一）退火温度 （二）络合剂 （三）沉积温度;退火温度;图１不同退火温度的ZnO薄膜的XRD图谱 Fig 1 XRD patterns of the ZnO films annealed under different temperatures;;;表 1 各个样品的FTC值 Table 1 The FTC value of the samples;;络合剂;图 4 在400 ℃ 下，以不同络合剂制备的ZnO 薄膜 XRD谱图 ( a. MEA ; b. DEA ; c. TEA);;;;沉积温度;图 7 不同沉积温度下薄膜的XRD图 E1=180℃，E2=150 ℃， E3=120 ℃， E4=90 ℃;;;; ZnO晶体结构和光电特性，在光显示、光照明、光存储以及光探测等领域具有诱??的应用前景：;参考文献;谢谢！