如何测量LED的热阻 - 中国LED网.PDF

静电测试技术在LED品质提升的应用 一、前言 LED应用已扩大至各个领域，包含LCD Backlight、手 Backlight、号 志灯、艺术照明、建筑物照明及舞台灯光控制、家庭照明等领域，根据 DIGITIMESReasearch调查，2010~2015的需求成长高达30%，因此促使LED 产能的大幅增加。随着LED应用环境的多元复杂化，LED下游商对上游晶粒 品质的要求日趋严苛，如LED耐静电测试(ElectrostaticDischarge,ESD) 的电压值就从原本4kV要求，逐渐提高到8kV，以容忍户外的恶劣环境。所 以高压LED耐静电测试为目前LED晶粒点测机中，急待开发的关键模组。 环境中各种不同模式的静电，包含人体静电或机械静电，均会对LED造成损 坏。当静电通过感应或直接触碰于LED的两个引脚上的时候，电位差将直接 作用在LED两端，而电压超过LED的承受值时，静电电荷以极短时间内在 LED两个电极间进行放电，造成LED绝缘部位损坏，产生漏电或短路等现象。 所以固态技术协会JEDEC (JointElectron Device Engineering Council) 于JESD22-A114E、JESD22-A115A 中，制定人体静电放电模式(HumanBody Model，HBM)与机器装置放电模式(Machinemodel，MM)的测试规范，来确保 LED产品的品质。但购买国外高压产生器搭配充放电切换电路，并整合 Prober与自动化移动平台主要缺点为反应速度慢(0至4kV上升时间 500ms)，且未考量探针的高压绝缘，所以有晶粒分类速度慢及测试波型稳定 性不足等严重问题，常会击穿LED或充放电模组，如图1，或机台高压测试 性不足，出货后仍被高压静电损坏，直接影响LED成品品质。加上晶圆上2 万~4万颗晶粒测量的时间常费时超过1小时，需要缩短检测时间以提高产 能。因此本文透过开发针高速大动态范围LED晶圆静电量测模组，于高速多 电压切换高压产生组件设计使用动态范围控制电路与PID 回授控制，以高电 压动态范围(250V-8kV)及高速静电测试(80ms)，如图2A与图2B，来满足国 内LED产业需求，达成降低成本与关键模组自制化之目的。 图1 LED遭静电损害 图2A 高速大动态范围静电量测模组短路静电测试电流波形 图2B 高速多电压切换高压产生组件电测试输出电压波形 二、LED晶圆静电量测模组系统架构 本文开发高速大动态范围LED晶圆静电量测模组如图3，针对晶粒的耐静电 电压进行全检测试，依LED耐静电电压的大小，进行LED级别分类。此静电 点测全检模组包含测试高速多电压切换高压产生组件、探针组件、充放电组 件、软件分类组件。以测试探针平台移动两探针接触待测LED之正负电极上， 高速多电压切换高压产生组件依软件电控程式设定产生人体静电放电模式 或机器装置放电模式测试电压准位，充放电模组储存高压产生器电荷后对待 测LED进行静电耐压测试，最后软件分类组件显示静电测试结果。本技术针 对现有国内LED晶圆静电量测模组动态范围不足(500V至4000V)与国外模组 电压切换时间过慢(0V至4kV上升时间约500ms)之问题，设计成高速大动态 范围LED晶圆静电量测模组，使输出电压可涵盖规范静电分类之最小电压 250V至最大电压8000V大动态范围 并缩短低电压切换至高电压上升时间 ﹔ 至80ms以内，以达高速与大动态范围LED晶粒线上检测与分类目的。 图3 高速大动态范围LED晶圆静电量测模组系统图 各主要组件设计考虑要点如下: 1. 测试探针组件设计部份 测试探针组件用于传送电压与电流，探针外绝缘保护可防止漏电流产生，进 而提高静电量测准确度。 绝缘设计上分为分为内绝缘和外绝缘两大类。内绝缘为模组内部的绝缘。包 括固体介质的绝缘以及由不同介质构成的组合绝缘。虽然外部大气条件对内 绝缘基本没有影响，但材料的老化、高温、连续加热以及受潮等因素对内绝 缘的绝缘强度却有不利的影响，同时内绝缘若发生击穿，它的绝缘强度也不 能自行恢复。外绝缘则指在直接与大气相接触的条件下工作，所形成的各种 不同形式的绝缘，包括空气间隙和模组固体绝缘的外露表面。外绝缘的突出 特点是在放电停止后，其绝缘强度通常能迅速地完全恢复，并与重复放电的 次数无关。而外绝缘的绝缘强度和外部大气条件密切相关，会受大气温