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常见IGBT 模块失效情况的分类 - 嘉兴斯达半导体股份有限公司
嘉兴斯达半导体有限公司
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
2010—05—20
常见 IGBT 模块失效情况的分类
陈浩
IGBT 模块因应电力电子技术的迅速发展目前已经得到广泛应用，
但部分模块在实际应用中也不可避免的出现了失效现象。本文简要的对
模块失效的成因进行分类，主要涉及模块过温、过电压、机械损伤、器
件问题造成 IGBT模块的失效。
模块和散热器之间安装不够紧密。
散热器表面平整度差。
导热硅脂不足、过量或则不均匀。
散热性不佳
④风扇老化导致转速减小或者停转。
⑤散热器体积过小
⑥环境温度过高。
过温
驱动电压不足，导致饱和压降增加。
模块开关频率过大
门极驱动电阻过大，导致开关损耗
功耗过大 增加。
④过电流（过载等）
Ⅰ.死区时间不足
⑤短路 Ⅱ.驱动信号误动作
1 Application Note AN9004 V0.0
嘉兴斯达半导体有限公司
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
①模块的余量不足，导致电源电压
超过模块的最大承受电压。
②制动单元设计无法匹配或失效，
总线直流电压出现异常攀升。
集电极过电压
③母线寄生电感过大
④控制信号异常
⑤开通速度过快
过电压 ⑥雷电浪涌
门极驱动供电异常
门极回路异常
雷电浪涌电压
门极过电压
④门极电压发生振荡
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