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v1.0
闪存闪存ProASIC3系列系列FPGA ®
通过可选软通过可选软ARM ® 支撑支撑
特点和优点特点和优点 •1.5 V,1.8 V,2.5 V和3.3 V混合电压操作
•插槽可选I / O电压,高达每片4组
高容量高容量 •单端I / O标准：LVTTL,LVCMOS 3.3 V /
•15 K至1M系统门 2.5 V / 1.8 V / 1.5 V, 3.3 V PCI / 3.3 V PCI- † 和LVCMOS
•高达144千比特真双端口SRAM 2.5 V / 5.0 V输入
•多达300用户I / O •差分I / O标准：LVPECL,LVDS,B-LVDS,和
编程编程Flash技术技术 M-LVDS （A3P250及以上）
• 130纳米,7层金属（6铜）,基于闪存CMOS工艺 •I / O寄存器输入,输出,并启用路径
• 上电即行（LAPU）0级支持 •支持热插拔,冷饶让I / O ‡
• 单芯片解决方案 •可编程输出摆率 † 和驱动强度
• 防护留编程设计时已关闭 •弱上拉/ -Down
高性能高性能 •IEEE 1149.1 （JTAG）边界扫描测试
•350 MHz系统性能 •引脚兼容横跨ProASIC3系列套餐
•3.3 V,66 MHz64位PCI †
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