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学子专区(StudentZone)—2017年5月
学子专区(StudentZone)—2017年5月
接地和去耦:现在就开始学习基础知识,
为日后铺平道路!第三部分:去耦续篇
作者:Walt Kester
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在上篇文章中,我们介绍了去耦的基础知识及其在实现集成电路 100
Aluminum Switching Type, 10 V
(IC)期望性能方面的重要性。在本篇文章中,我们将详细探讨用于 Low ESR Tantalum, 10 V
10 Polymer Tantalum, 4 V
去耦的基本电路元件——电容。 SC-Cap (SL Series), 2 V
Ceramic, 6.3 V
ESL = 16 nH
1
实际电容及其寄生效应 Z Ω
ESL = 1.6 nH
100m
图1所示为实际电容的模型。电阻R 代表绝缘电阻或泄漏,与标称
P
电容(C)并联。第二个电阻RS (等效串联电阻或ESR)与电容串联, 10m
代表电容引脚和电容板的电阻。 1m
100 1k 10k 100k 1m 10m
Frequency (Hz) ESR = 0
1 1
R Self-Resonant Frequency =
P 2π ESL × C
图2. 各种100μF电容的阻抗
R L
C S
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