各种MOSFET参数大全要领.pdf

2 分立器件2 分立器件 2 2 分立器件分立器件 功率 MOSFET 1）特性参数 功率MOSFET是我们最熟悉的绿色社会开拓者。它们能帮助我们创建低损耗系统。我们的 必威体育精装版工艺和小型封装能帮助您提高系统效率，缩小系统尺寸，从而创建终极低功耗驱动。 （通用开关功率MOSFET、汽车功率MOSFET、IPD、电池功率MOSFET、通用放大器功 率MOSFET） 功率 功率 MOSFET MOSFET 参数介绍 参数介绍 功率功率 MOSFET MOSFET 参数介绍参数介绍 第一部分最大额定参数第一部分最大额定参数 第一部分最大额定参数第一部分最大额定参数 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS VDSS 最大漏最大漏--源电压源电压 VDSS VDSS 最大漏最大漏--源电压源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根 据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见 静电学特性. VGS VGS 最大栅源电压最大栅源电压 VGS VGS 最大栅源电压最大栅源电压 VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压 过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工 艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。 ID -ID - 连续漏连续漏电流电流 ID ID -- 连续漏连续漏 电流电流 ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最 大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数： ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。因此， 硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。补 充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。 IDM -IDM -脉冲漏极电流脉冲漏极电流 IDM IDM --脉冲漏极电流脉冲漏极电流 该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义 IDM的目的在于：线的欧姆区。对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极 电流。如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增 大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。因 此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。区域的分界点在Vgs和曲线 相交点。 因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。这本质上是为了防止过高电流流 经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。 考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况， RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。单纯满足脉冲电流不超出IDM上限并不能保证结温不 超过最大允许值。可以参考热性能与机械性能中关于瞬时热阻的讨论，来估计脉冲电流下 结温的情况。 PD -PD -容许沟道总功耗容许沟道总功耗 PD PD --容许沟道总功耗容许沟道总功耗 容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗，可以表示为最大结温和管壳温度为25℃ 时热阻的函数。