光电技术第四章习题.pdf

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光电技术第四章习题

光电技术第四章 4.1 何谓“光电发射阈值” ?它与“逸出功”有什么区别?引入“光电发射阈值”对分析光电效应 有什么意义? 4.2 真空光电倍增管的倍增极有哪几种结构?各有什么特点? 4.3 为什么常把光电倍增管的光电阴极做成球面?这样设计有什么优越性? 4.4 何谓光电倍增管的增益特性?光电倍增管各倍增极的发射系数δ与哪些因素有关?最主 要的因素是什么? 4.5 光电倍增管产生暗电流的原因有哪些?如何降低暗电流? 4.6 光电倍增管的主要噪声是什么?在什么情况下热噪声可以被忽略? 4.7 怎样理解光电倍增管的阴极灵敏度和阳极灵敏度?二者的区别是什么?二者有什么关 系? 4.8 为什么光电倍增管不但要屏蔽光,还要屏蔽电与磁?用什么样材料制造光电倍增管的屏 蔽罩才能达到既屏蔽光、屏蔽电又能屏蔽磁的目的?屏蔽罩为什么必须与玻璃壳分离至少 20mm ? 4.9 什么叫光电倍增管的疲劳与衰老?两者的差别使什么?能在明亮的室内观看光电倍增 管的结构么?为什么? 4.10 光电倍增管的短波限和长波限由什么因素决定? 4.11 某光电倍增管的阳极灵敏度为 10A/lm ,为什么还要限制它的阳极输出电流在 50~100μA ? 4.12 已知某光电倍增关的阳极灵敏度为100A/lm,阴极灵敏度为2μA/lm ,要求阳极输出电 流限制在100μA 范围内,求允许的最大入射光通量。 4.13 光电倍增管的供电电路分为负高压供电与正高压供电,试说明这两种供电电路的特点, 举例说明它们分别适用与哪种情况? 4.14 光电倍增管GDB44F 的阴极光照灵敏度为0.5μA/lm ,阳极灵敏度为50A/lm,要求长期 使用时阳极允许电流限制在2μA 以内。求: (1)阴极面上允许的最大光通量。 (2 )当阳极电阻为75KΩ时,最大的输出电压。 (3 )若已知该光电倍增管为12 级的Cs3Sb 倍增极,其倍增系数 0.2(UDD )0.7 ,实计算它 的供电电压。 (4 )当要求输出信号的稳定度为1%时,求高压电源电压的稳定度。 4.15 当用表4-4 所示的光电倍增管GDB-151 设计探测光谱强度为2 109 lm 光谱时,若要 求输出信号电压不小于0.3mV,稳定度要求高于0.1%,试设计该光电倍增管的供电电路。 4.16 设入射到PMT 光敏面上的最大光通量 8 106 lm ,当采用GDB-239 型倍增管作 V 为光电探测入射时,已知GDB-239 为11 级的光电倍增管,阴极为AgOCs 阴极,倍增极为 AgMg 合金材料,阴极灵敏度为10μA/lm.若要求入射通量在8 106 lm 时的输出幅度不低于 0.15V,试设计该PMT 的变换电路。若供电电压稳定度只能做到0.01%,试问该PMT 变换 电路输出信号的稳定度最高能达到多少?

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