参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响.pdf

第35卷第1期 人 工 晶 体 学 报 Vol.35No.I 2006年2月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS Febmary,2006 优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响 张晓丹，赵 颖，高艳涛，朱 锋，魏长春，孙 建，耿新华，熊绍珍 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津300071; 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津300071; 光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学，天津大学)，天津300071 摘要:本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单 结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而 增加，而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大，填充因子也在逐渐的增加。文中对具体内容进 行了详细的分析。 关健词:微晶硅薄膜太阳电池;气体流量;硅烷浓度 中图分类号二TK51 文献标识码:A 文章编号:1000-985X(2006)01-0170-03 EffectofOptimizationofDepositionParametersonthePerformance ofMicrocrystallineSiliconSolarCells ZHANGXiao-dan,ZHAOYing,GAOYan-tao，ZHUFeng,1VEIChang-chun， SUNJian,GENGXin-hua，XIONGShao-zhen (InstituteofPhoto-electronicsThinFilmDevicesandTechniqueofNankaiUniversity,Tianjin300071，China; KeyLaboratoryofPhoto-electronicsThinFilmDevicesandTechniqueofTianjin,Tianjin300071，China; KeyLaboratoryofOpto-electronicInformationScienceandTechnology (NankaiUniversity,TianjinUniversity)，MinistryofEducation,Tianjin300071，China) (Received2July2005) Abstract;Seriesofmicrocrystallinesiliconsolarcellswerefabricated场veryhighfrequencyplasma enhancedchemicalvapotdepositionatdifferentsilaneconcentrations，dischargepowersandtotalflow rate.TheresultsofI-Vmeasurementsofsolarcellsindicatethattheopencircuitvoltage(嵘)andthe fillfactor(FF)increasewiththedecreaseofdischargepower,andwiththeincreaseofsilane concentrationandtotalflowrate.However,theshortcircuitcurrentdensity(人)reachedamaximumat acertainsilaneconcentration.Thedetailscanbeseeninthepaper. Keyw