含咔唑聚芴类共轭聚电解质及其前驱体的合成与光电性能.pdf

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含咔唑聚芴类共轭聚电解质及其前驱体的合成与光电性能

第 27卷  第 4 期 发  光  学  报 Vol27 No4 2006年 8月 CH IN ESE JOURNAL OF LUM IN ESCEN CE A ug. , 2006 文章编号 : (2006) 新型含咔唑聚芴类共轭聚电解质及其 前驱体的合成与光电性能 曹  蔚 , 董海星 , 黄  飞 , 申慧琳 , 曹  镛 (华南理工大学材料学院 高分子光电材料与器件研究所 ; 特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室 , 广东 广州  510640) 摘要 : 采用 Suzuk i偶合反应成功地合成了一系列在主链上具有不同含量苯并噻二唑单元的聚咔唑和含胺基 ( ( ) ) ( ) ( 芴的衍生物 :聚 [ 3, 6 N 2乙基 己基 咔唑 2 , 1, 3苯并噻二唑 9 , 9双 N , N 二 甲基胺丙基 芴 ] PCzN ) ( ( ) ) B TD Z ;通过对所得聚合物的季铵盐化后处理得到了其相应的聚电解质衍生物 :聚 [ 3, 6 N 2乙基己基 ( ( ( ) ) ) ( ) 咔唑 2 , 1, 3苯并噻二唑 9 , 9 双 3 ′ N ,N 二甲基 N 乙基铵 丙基 芴 ]二溴 PCzNB rB TD Z 。通过对它们 的电致发光性能的研究 ,发现所有的聚合物用高功函数铝作阴极的器件具有和用钡 /铝作阴极的器件相近的 ( ) 发光性能 , 说明这类聚合物具有 良好的电子注入性能 。不同比例的 2 , 1, 3苯并噻二唑 B TD Z 的引入使聚合 物中发生有效的能量转移 ,调节了聚合物的发光颜色 ; 同时也提高了聚合物的器件性能 。其中聚合物 PCzN B TD Z1在器件结构为 ITO / PEDOT/ PV K / Polym er/B aA l 时的效率达 0. 99% , 高于 PCzN 在相同器件结构时的 ( ) 效率 0. 14% 。 关  键  词 : 共轭聚电解质 ; 电致发光 ; 咔唑 ; 芴 中图分类号 : TN 383. 1; TN 878. 3   PACC : 7860F   文献标识码 : A 性能 ,可以提高传统发光聚合物在高功函数金属 1 引  言 [ 5 ] ( ) 电极 如铝 ,金等 发光器件中的性能

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