eeprom 和sram 瞬时剂量率效应比较 - 微电子学.pdf

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第卷第期微电子学年月和瞬时剂量率效应比较王桂珍林东生齐超白小燕杨善超李瑞宾马强金晓明刘岩西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安摘要对一种电路和一种电路开展了强光一号瞬时剂量率效应实验测量了存储器的闩锁效应翻转效应等的翻转阈值为闩锁阈值高于的闩锁阈值为存储单元翻转阈值高于对于其翻转阈值远低于闩锁阈值而对于在瞬时辐照下闩锁阈值远低于存储单元的翻转阈值基于两种存储器的数据存储原理分析了和瞬时剂量率效应差异的原因关键词浮栅器件剂量率闩锁阈值翻转阈值中图分类号文献标识码文章编号效等效应

第44卷 第4期 微 电 子 学 Vol.44,No.4 2014年8月 Microelectronics Aug.2014 和 瞬时剂量率效应比较 EEPROM SRAM 王桂

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